[发明专利]一种晶圆级封装用保护封盖及其制作方法

说明书

技术领域

本发明公开了一种晶圆级封装用保护封盖，本发明属于半导体封装技术领域。

背景技术

晶圆级封装一般要对晶圆背部进行互联工艺，包括减薄，研磨，刻蚀及切割等工艺，很容易伤害晶圆的正面区域，因此在晶圆级封装之前，会先用一层玻璃之类的封盖键合在晶圆的正面，一是起到保护晶圆正面的作用，二是为后面的研磨和切割工艺提供负载作用。

但是随着人们对芯片的功能要求越来越严格，对于很多高灵敏度的芯片来说，这层封盖多少会影响到正常的工作能力。例如当影像传感器像素超过500万以后，像素尺寸变小，这样就需要其光响应能力增强，此时在外面加一层玻璃封盖则会影响到芯片的保真能力。而对于某些MEMS传感器来说，在其外面加一层封盖会影响其敏感度，尤其是对于气体感应类的传感器来说，则完全不能有封盖遮挡。因此对于晶圆级封装来说，在封装的最后流程中使晶粒和封盖分离就成为必要程序。

因为封盖是以打胶的方式跟晶圆临时键合在一起的，对该封盖进行分离，一般采用激光类对胶进行去键合作业，利用激光的高能量将胶的化学键打断，使其丧失粘合能力。但是激光能量很高，像图像传感器和MEMS这样具有高灵敏度感应区域的芯片，一旦其感应区域被激光扫到，就会产生无法修复的损伤。因此在去键合时，封盖打胶的区域要能够透过激光，这样才能正常去键合，同时该封盖对于芯片的感应区域又要有防止激光透过的能力。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种只有指定区域能透过激光的一种晶圆级封装用保护封盖。

按照本发明提供的技术方案，所述一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖与阻挡激光薄膜；阻挡激光薄膜安装在封盖上，相邻两片阻挡激光薄膜在水平方向上具有间隙。

作为优选：所述阻挡激光薄膜间隔黏贴在封盖的上表面。

作为优选：所述阻挡激光薄膜位于封盖内。

作为优选：所述封盖的材质是SiO₂玻璃、树脂玻璃、氧化铝薄膜或者氧化锆陶瓷。所述封盖的厚度为30um~500um。

作为优选：所述阻挡激光薄膜为氧化铝薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、酚醛树脂或者环氧树脂。所述阻挡激光薄膜的厚度为10nm~100um。

本发明的封盖只在相邻两片阻挡激光薄膜之间能透过激光，其他位置不透激光，因此本封盖在晶圆级封装作业完成后通过激光去键合的方式与切割好的芯片进行分离，同时又保护了芯片的感应区域免受激光的损伤。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1的结构示意图。

图2是本发明实施例2的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。

以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

此外，在不同的实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

本发明的各实施方式中提到的有关于步骤的标号，仅仅是为了描述的方便，而没有实质上先后顺序的联系。各具体实施方式中的不同步骤，可以进行不同先后顺序的组合，实现本发明的发明目的。

实施例1

一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖1与阻挡激光薄膜2；阻挡激光薄膜2安装在封盖1上，相邻两片阻挡激光薄膜2在水平方向上具有间隙，所述阻挡激光薄膜2间隔黏贴在封盖1的上表面。

所述封盖1的材质是SiO₂玻璃，封盖1的厚度为30 um。

所述阻挡激光薄膜2的材质为聚丙烯酸酯薄膜，阻挡激光薄膜2的厚度为10nm。

实施例2

一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖1与阻挡激光薄膜2；阻挡激光薄膜2安装在封盖1上，相邻两片阻挡激光薄膜2在水平方向上具有间隙，所述阻挡激光薄膜2间隔黏贴在封盖1的上表面。

所述封盖1的材质是树脂玻璃，封盖1的厚度为100 um。

所述阻挡激光薄膜2的材质为氧化铝薄膜，阻挡激光薄膜2的厚度为40nm。

实施例3