[发明专利]一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法，本发明属于半导体封装技术领域。

背景技术

晶圆级封装一般要对晶圆背部进行互联工艺，包括减薄，研磨，刻蚀及切割等工艺，很容易伤害晶圆的正面区域，因此在晶圆级封装之前，会先用一层玻璃之类的封盖键合在晶圆的正面，一是起到保护晶圆正面的作用，二是为后面的研磨和切割工艺提供负载作用。

但是随着人们对芯片的功能要求越来越严格，对于很多高灵敏度的芯片来说，这层封盖多少会影响到正常的工作能力。例如当影像传感器像素超过500万以后，像素尺寸变小，这样就需要其光响应能力增强，此时在外面加一层玻璃封盖则会影响到芯片的保真能力。而对于某些MEMS传感器来说，在其外面加一层封盖会影响其敏感度，尤其是对于气体感应类的传感器来说，则完全不能有封盖遮挡。因此对于晶圆级封装来说，在封装的最后流程中使晶粒和封盖分离就成为必要程序。

因为封盖是以打胶的方式跟晶圆临时键合在一起的，对该封盖进行分离，一般采用激光类对胶进行去键合作业，利用激光的高能量将胶的化学键打断，使其丧失粘合能力。但是激光能量很高，像图像传感器和MEMS这样具有高灵敏度感应区域的芯片，一旦其感应区域被激光扫到，就会产生无法修复的损伤。因此在去键合时，封盖打胶的区域要能够透过激光，这样才能正常去键合，同时该封盖对于芯片的感应区域又要有防止激光透过的能力。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种。

按照本发明提供的技术方案，所述一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法包括以下步骤：

a1、在保护封盖的上表面做上呈间隔设置的光阻薄膜，相邻两片光阻薄膜之间形成间隙；

b1、在对应相邻两片光阻薄膜之间的间隙内的保护封盖的上表面做出支撑墙；

c1、在支撑墙的墙顶涂键合胶，将晶圆的下表面和支撑墙的墙顶通过键合胶键合在一起；

d1、在晶圆的背面做完背部工艺，用激光对键合胶进行去粘性作业，然后将保护封盖连同光阻薄膜和支撑墙一起取下。

按照本发明提供的技术方案，所述一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法包括以下步骤：

a2、在保护封盖的上表面做上呈间隔设置的光阻薄膜，相邻两片光阻薄膜之间形成间隙；

b2、在晶圆的下表面做出呈间隔设置的支撑墙；

c2、在支撑墙的墙底涂键合胶，将保护封盖的上表面与支撑墙的墙底通过键合胶键合在一起，每个支撑墙的墙底与相对应的相邻两片光阻薄膜之间的间隙内的保护封盖的上表面键合；

d2、在晶圆的背面做完背部工艺，用激光对键合胶进行去粘性作业，将保护封盖连同光阻薄膜一起取下，最后将支撑墙去除。

按照本发明提供的技术方案，所述一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法包括以下步骤：

a3、在保护封盖的下表面做上呈间隔设置的光阻薄膜，相邻两片光阻薄膜之间形成间隙；

b3、在保护封盖的上表面对应相邻两片光阻薄膜之间的间隙的位置做出支撑墙；

c3、在支撑墙的墙顶涂键合胶，将晶圆的下表面和支撑墙的墙顶通过键合胶键合在一起；

d3、在晶圆的背面做完背部工艺，用激光对键合胶进行去粘性作业，然后将保护封盖连同光阻薄膜和支撑墙一起取下。

按照本发明提供的技术方案，所述一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法包括以下步骤：

a4、在保护封盖的下表面做上呈间隔设置的光阻薄膜，相邻两片光阻薄膜之间形成间隙；

b4、在晶圆的下表面做出呈间隔设置的支撑墙；

c4、在支撑墙的墙底涂键合胶，将保护封盖的上表面与支撑墙的墙底通过键合胶键合在一起，每个支撑墙的墙底与相对应的相邻两片光阻薄膜之间的间隙内的保护封盖的上表面键合；

d4、在晶圆的背面做完背部工艺，用激光对键合胶进行去粘性作业，将保护封盖连同光阻薄膜一起取下，最后将支撑墙去除。

作为优选：所述保护封盖为能被激光穿过的材质为有机玻璃、无机玻璃、树脂、半导体材料、氧化物晶体、陶瓷、金属、有机塑料、无机氧化物或者陶瓷材料的薄片，保护封盖的厚度为100~500μm。

作为优选：所述光阻薄膜为能阻挡激光穿过的材质为金属、光阻、玻璃、无机玻璃、树脂、半导体材料、氧化物晶体、陶瓷、金属、有机塑料、无机氧化物或者陶瓷材料的薄膜，光阻薄膜的厚度为20~200μm。