[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是该封装工艺包括以下步骤：

a、取已经在其正面做出引线（5）和图像传感器（6）的CIS晶圆（1），在CIS晶圆（1）的正面键合上负载晶圆（2），以负载晶圆（2）做支撑将CIS晶圆（1）的背面减薄，在已经减薄的CIS晶圆（1）的背面做上滤光镜（3）和微透镜（4）；

b、在CIS晶圆（1）的背面的边缘位置用第一粘结胶（7）进行覆盖，该第一粘结胶（7）在CIS晶圆（1）的背面边缘形成一个封闭环形，在该封闭环形内用第二粘结胶（8）进行涂布，且单位面积的第二粘结胶（8）的粘结力小于单位面积的第一粘结胶（7）的粘结力，在第二粘结胶（8）和第一粘结胶（7）的背面键合上封盖（9）；

c、以封盖（9）做支撑将负载晶圆（2）减薄，并在已经减薄的负载晶圆（2）内做出导电柱（10），在导电柱（10）的上端部沉积出导电层（11）；

d、去除第一粘结胶（7）的粘性，使CIS晶圆（1）和封盖（9）分离，清洗CIS晶圆（1）和封盖（9）以除去第二粘结胶（8），最后进行切割，得到背照式图像传感器的晶圆级封装结构。

2.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：所述CIS晶圆（1）的材质为硅，且CIS晶圆（1）的厚度为50~200µm；所述负载晶圆（2）为裸硅晶圆、无机玻璃晶圆、半导体材料晶圆、氧化物晶体晶圆、陶瓷晶圆、金属晶圆或有机塑料晶圆，且负载晶圆（2）的厚度为200~500µm。

3.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：步骤b中，第一粘结胶（7）的材质为苯并环丁烯、热塑性环氧树脂或者UV环氧树脂，第一粘结胶（7）的宽度为1~5mm，第一粘结胶（7）的厚度为10nm ~300µm；所述第二粘结胶（8）的材质为十二烯，第二粘结胶（8）的厚度为10nm ~300µm。

4.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：所述封盖（9）的材质为无机玻璃、半导体材料、氧化物晶体、陶瓷、金属或有机塑料，且封盖（9）的厚度为100~500µm。

5.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：步骤a中，在CIS晶圆（1）的正面通过硅硅键合、硅氧键合、氧氧键合或者用胶粘合方式与负载晶圆（2）实现键合。

6.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：步骤b中，在对应BSI面的感光区域边缘的CIS晶圆上通过涂布、喷涂、贴膜或者注塑方式上第一粘结胶。

7.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：步骤d中，通过去胶液浸泡CIS晶圆（1）去除第一粘结胶（7），或者通过加热或者激光照射去除第一粘结胶（7）。

8.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：步骤c中，负载晶圆（2）减薄后的厚度控制在90~120µm。

9.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是：所述导电柱（10）的上端面与负载晶圆（2）的正面平齐。