[发明专利]具有场电极和场电介质的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

场电极结构，包括场电极和和场电介质，其中所述场电介质位于所述场电极和漂移区部分之间，其中所述场电介质包括第一电介质层和具有比所述第一电介质层更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层；以及

半导体主体，包括晶体管部分，所述晶体管部分围绕所述场电极结构，直接邻接所述第一电介质层，并包括源极区、漂移区部分和使所述源极区与所述漂移区部分分离的主体区，所述主体区与所述源极区形成第一pn结并且与所述漂移区部分形成第二pn结，

其中所述场电介质还包括第三电介质层，并且其中所述第二电介质层夹在所述第一电介质层和所述第三电介质层之间；

栅极结构，包括栅电极和使所述栅电极与所述主体区分离的栅极电介质，其中所述栅极结构围绕所述场电极结构；

其中在平行于所述半导体主体的第一表面的水平面中，所述晶体管部分夹在所述场电极结构和所述栅极结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一电介质层是氧化物层。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述第二电介质层是氮化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中

多个晶体管单元的所述栅电极形成使所述晶体管单元的所述晶体管部分嵌入的网格。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中

在平行于所述半导体主体的第一表面的水平面中，所述栅电极在所述场电极和所述晶体管部分之间形成。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中

多个晶体管单元的所述晶体管部分形成使所述晶体管单元的所述栅极结构和场电极结构嵌入的网格。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述场电极在垂直于水平面的垂直方向上延伸，所述水平面平行于所述半导体主体的第一表面。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述场电极包括第一水平延伸部和与所述第一水平延伸部正交的第二水平延伸部。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述场电极的水平横截面区域是圆形或具有圆角的正方形或具有圆角的规则六边形。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一电介质层使所述第二电介质层与所述晶体管部分分离。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第三电介质层是含氧层。

12.一种半导体器件，包括：

包括场电极和场电介质的场电极结构，其中所述场电介质位于所述场电极和漂移区部分之间，并且其中所述场电介质包括第一电介质层和具有比所述第一电介质层更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层；和

半导体主体，包括晶体管部分，所述晶体管部分围绕所述场电极结构，直接邻接所述第一电介质层，并包括源极区、漂移区部分和使所述源极区与所述漂移区部分分离的主体区，所述主体区与所述源极区形成第一pn结并且与所述漂移区部分形成第二pn结；

其中所述场电介质还包括第三电介质层，并且其中所述第二电介质层夹在所述第一电介质层和所述第三电介质层之间，

其中所述第二电介质层至多在所述场电极结构的垂直延伸部的下三分之一中形成。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第三电介质层是具有在从10 nm到30 nm的范围内的厚度的沉积氧化硅层。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第二电介质层的厚度在从10 nm到30 nm的范围内。