[发明专利]多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510413910.7 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105070826B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;刘瑞蕊;沈波;何子芳 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变薄膜材料 多级相变 低功耗 薄膜 制备方法和应用 存储 单层 半导体材料 稳定非晶态 氩气 薄膜材料 高低电阻 化学组成 交替沉积 相变存储 传统的 靶材 衬底 电阻 辉光 制备 | ||
【权利要求书】：
1.多级相变存储用低功耗相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法，在SiO2/Si(100)衬底上，以InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5为靶材，以氩气为辉光气体，交替沉积InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5薄膜，制备得到多级相变存储用低功耗相变薄膜材料，
相变薄膜材料中沉积得到的InTe薄膜和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5薄膜的厚度相同，均为20-30nm。
2.根据权利要求1所述的多级相变存储用低功耗相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，InTe、Ga3Sb7和Ge2Sb2Te5靶材溅射采用射频，SnSe2靶材溅射采用直流电源；溅射功率为5-22W；氩气气流量为28-32SCCM；溅射气压为0.15-0.25Pa。
3.根据权利要求1所述的多级相变存储用低功耗相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，InTe、Ga3Sb7、SnSe2和GST靶材纯度原子百分比均在99.999％以上。
4.如权利要求1所述的多级相变存储用低功耗相变薄膜材料的应用，其特征在于，该多级相变存储用低功耗相变薄膜材料应用在相变存储器中。
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