[发明专利]一种在乙醇溶液中快速制备DAST晶体的工艺在审
申请号: | 201510414467.5 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN104987306A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 庞子博;孟大磊;徐永宽;洪颖;刘金鑫;王添依;武聪 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C07D213/38 | 分类号: | C07D213/38 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 王凤英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 乙醇 溶液 快速 制备 dast 晶体 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及DAST(4-N, N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪对甲苯磺酸盐)晶体的制备方法,特别是涉及一种在乙醇溶液中快速制备DAST晶体的工艺。
背景技术
有机非线性光学材料由于其非线性光学系数大、响应速度快、抗光损伤阈值高、介电常数低、易于进行分子设计等优点,备受化学、晶体学、光学等领域科研工作者关注。其中,S. R. Marder等人于1989年8月首次报道了具有二阶光学非线性的DAST晶体。DAST为其英文名称4-N, N-dimethylamino-4’-N’-methyl-stilbazolium tosylate的缩写,直译的中文名称应为4-N, N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪对甲苯磺酸盐。近年来研究发现DAST晶体在1318 nm处二阶非线性系数为1010 pm/V、在720 nm处电光系数为92 pm/V、可产生0.1-200 THz范围内的太赫兹波,通过DAST晶体产生的太赫兹辐射的电场强度可达170 V/cm。
但是文献报道的DAST晶体制备工艺大多采用甲醇作为溶剂,通过缓慢蒸发溶剂或缓慢降温溶液等方法进行。这些方法的缺点是甲醇是众所周知的有毒有害溶剂,会对操作者身体及生态环境造成不良影响,并且缓慢蒸发和缓慢降温方法的工艺周期较长,一般均在30天左右,甚至更长,使DAST晶体的应用研究受限于结晶设备数量和单台设备的晶体产率。
发明内容
本发明目的是克服现有DAST晶体制备工艺方法中使用甲醇溶剂的缺点,特别提供一种使用“绿色溶剂”作为结晶体系溶剂,通过两步操作实现一种在乙醇溶液中快速制备DAST晶体的工艺。
本发明是通过以下技术方案实现的:一种在乙醇溶液中快速制备DAST晶体的工艺,其特征在于:该DAST晶体制备工艺分为两步,其中第一步:选用绝对乙醇为溶剂,在惰性气体环境中配制DAST溶液,控制DAST溶液浓度为0.5-3.5 wt%,将DAST溶液转移至广口瓶中用胶塞密封后从惰性气体环境中取出;第二步:将广口瓶置于控温精度为±0.05℃且恒温为20-55℃的控温水浴槽中,控制降温速率为1-4 ℃/d,制备时间为2-18天。
本发明在研发过程中,通过适当地调整DAST溶液浓度和降温速率,可以进一步缩短工艺周期并提高所得晶体的尺寸,本发明又提供了DAST晶体的优选制备工艺。
本发明优选的技术方案是:一种在乙醇溶液中快速制备DAST晶体的工艺,其特征在于:该DAST晶体制备工艺分为两步,其中第一步:选用绝对乙醇为溶剂,在惰性气体环境中配制DAST溶液,控制DAST溶液浓度为2.0-3.5 wt%,将DAST溶液转移至广口瓶中用胶塞密封后从惰性气体环境中取出;第二步:将广口瓶置于控温精度为±0.05℃且恒温为43-55℃的控温水浴槽中,控制降温速率为1.1-2.5 ℃/d,制备时间为2-10天。
本发明的优点和有益效果是:(1)采用绝对乙醇作为反应介质,避免了有毒有害溶剂甲醇对操作者身体的伤害,同时也减轻了废液对环境的污染;(2)虽然在相同温度下,DAST在乙醇中的溶解度较在甲醇中的低,但乙醇的沸点较甲醇的要高十几摄氏度,对于溶液降温方法而言,可操作的区间更宽,可以弥补DAST在乙醇中溶解度较低的不足;(3)现有文献报道认为很难在乙醇溶剂中获得高质量DAST晶体。但在研究过程中发现,采用乙醇溶液体系制备DAST晶体的不利因素除DAST在乙醇中的溶解度较低外,更主要的原因在于市售的无水乙醇等溶剂会含有微量的水分,而DAST极易吸水且存在含结晶水的晶体结构(即DAST · H2O),这些因素将会严重降低在乙醇溶液中制备的DAST晶体的质量。针对该原因,本发明采用了常用的通过溶剂精制方法获得的绝对乙醇作为溶剂,避免了水分对晶体质量所造成的不利影响,为DAST晶体及相关产品研究奠定了良好的物质与理论基础。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明:
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