[发明专利]一种GaSb单晶生长位错密度控制技术

权利要求书

1.一种GaSb单晶生长位错密度控制技术，包括带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置及除渣工艺，其特征在于：带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置，包括加热器（1）、坩埚托（2）、外坩埚（3），还包括石英压块（4）、浮渣过滤坩埚（6），浮渣过滤坩埚（6）与外坩埚（3）形状相同、底部开数个直径0.4-0.6mm的浮渣过滤孔（8），将浮渣过滤坩埚（6）放置于外坩埚（3）内部，使浮渣过滤坩埚（6）、外坩埚（3）共轴分布、壁间距1-3cm，在浮渣过滤坩埚（6）顶部放置石英压块（4），使石英压块（4）的卡槽（5）与浮渣过滤坩埚（6）固定并卡紧在外坩埚（3）的内壁内；除渣工艺包括，

第一步、将浮渣过滤坩埚（6）放置于外坩埚（3）内部，使浮渣过滤坩埚（6）、外坩埚（3）共轴分布；

第二步、称量GaSb多晶块料并粉碎，称量卤盐覆盖剂，将上述原料（7）放置于在两层石英坩埚之间，使石英压块（4）的卡槽（5）与浮渣过滤坩埚（6）固定并卡紧在外坩埚（3）的内壁内；

第三步、使用Ar气对LEC炉膛进行数次充放气，去除炉膛内大部分的氧气、水蒸气含量；

第四步、升温至约500摄氏度熔化卤盐覆盖剂，恒温并持续抽真空进行卤盐熔体脱水，直至熔体表面无气泡产生，保持抽真空状态去除水蒸气；

第五步，继续升温至约700摄氏度，恒温约24小时，使炉膛内残余氧气及水蒸气与块状GaSb料在高温下进行反应；

第六步，继续升温熔化GaSb块料，纯净的GaSb熔体经浮渣过滤孔（8）进入浮渣过滤坩埚（6），而氧化物浮渣隔离于浮渣过滤坩埚（6）、外坩埚（3）之间，实现了浮渣过滤功能。