[发明专利]一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺

权利要求书

1.一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺，其特征在于，该工艺有如下步骤：

步骤一.对不锈钢料瓶内表面进行抛光；

步骤二.将料瓶置于管式炉外，料瓶内设有氩气输入管和氩气输出管，并将氩气输入管和氩气输出管与管式炉的氩气输入管连通；

步骤三.将硫粉置于料瓶中；

步骤四.在料瓶的外围紧密缠绕伴热带；

步骤五.将伴热带通过通讯接口与管式炉控制部分的触摸屏进行连接；

步骤六.在触摸屏的编辑窗口输入料瓶的目标温度及加热时间；

步骤七.先对管式炉进行加热，加热温度为800℃-1000℃；

步骤八.当管式炉温度达到设定温度后，运行料瓶的温控程序对料瓶进行加热，加热速率为15-25℃/min，加热温度为180-300℃，加热时间为10-20min；

步骤九.当料瓶达到设定温度后，开始向料瓶中通入Ar气，流量为100-500sccm，开始进行二硫化钼薄膜生长；

步骤十. 二硫化钼薄膜生长结束后，将管式炉以及料瓶温度降至室温，取出样品，经显微镜观察二硫化钼薄膜表面均匀性。