[发明专利]一种氯化钠光学晶体制备工艺及制作成红外窗口的方法有效
申请号: | 201510414638.4 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105040091B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 沈琨;沈承刚;邵伏华 | 申请(专利权)人: | 淮安红相光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/12 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 宋涛 |
地址: | 223200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氯化钠 光学 晶体 制备 工艺 制作 红外 窗口 方法 | ||
1.一种氯化钠光学晶体制备方法,其特征在于,在大气生长炉中采用石英坩埚下降法将纯度>99.95%的氯化钠原料生长成氯化钠晶体,包括以下步骤:
1)将适量高纯氯化钠单相多晶粉料放入石英烧杯中,并将石英烧杯放置于烘箱内,将温度升到150℃,保持温度24h,然后关闭电源,随炉冷却到室温,并制成块状晶体;
2)将块状晶体放在手套箱中处理成粉状的粉料,然后在手套箱中将粉料装入石英坩埚中;
3)将石英坩埚,按10℃/h的升温速度升到110℃,保持6h,再以50℃/h的速度将温升到200℃后,再以100℃/h的升温速度升到600℃,氯化钠原料的杂质气化,保温9-10h后,切断加热电源,停止加热,自然冷却。
2.根据权利要求1所述的氯化钠光学晶体制备方法,其特征在于,所述氯化钠原料的杂质气化后,在保温9-10h的过程中,先以30-40℃/h的加热速度,将装料的石英坩埚加热至810℃,在810℃恒温3h后,快速将温度降至结晶饱和温度801℃。
3.根据权利要求2所述的氯化钠光学晶体制备方法,其特征在于,所述降温过程中,石英坩埚以30±5℃/h的速度缓慢降温至700℃,同时以5-10rpm的匀速转速旋转石英坩埚,保持20-30h后,使晶体在生长过程中完成退火。
4.根据权利要求3所述的氯化钠光学晶体制备方法,其特征在于,所述退火后,再以6-8℃/h的速度降温到150℃,关闭电源,随炉冷却到室温后即得到氯化钠晶体。
5.一种利用权利1-4任意一项制的氯化钠光学晶体制作成红外窗口的方法,其特征在于,通过切割、研磨、抛光和镀膜处理,具体步骤如下:
(1)通过内圆切割机将晶体毛坯切割成圆片,再用外圆磨床将晶片磨成圆片待用;
(2)用配好的研磨液将晶片细磨好后,放入手套箱后抛光处理;
(3)将抛好的晶片通过手套箱喷涂上防水增透保护膜;
(4)将晶片用防水胶封装在红外视窗法兰上。
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