[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510414969.8 申请日: 2015-07-15
公开(公告)号: CN105280595B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 那须信敬 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 秦琳;陈岚
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,

具有焊盘组,所述焊盘组由设置在半导体基板上并且排列成一列而作为整体形成焊盘列的多个焊盘构成,

所述焊盘组具有:至少1个第一焊盘,形成有从每一个向与所述焊盘列的列方向垂直的第一方向伸长的第一连接部;以及至少1个第二焊盘,形成有从每一个向与所述第一方向相反的第二方向伸长的第二连接部,

所述至少1个第二焊盘被形成在从通过所述至少1个第一焊盘的中心的所述焊盘列的所述列方向向所述第一方向移动后的位置,

所述第一和第二连接部连接于设置在所述半导体基板内的电路块。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述至少1个第二焊盘被形成在从通过所述至少1个第一焊盘的中心的所述焊盘列的所述列方向向所述第一方向移动所述第一连接部的沿着所述第一方向的连接部长度后的位置。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述多个焊盘的每一个在所述第一方向上具有同一长度,所述连接部长度比所述多个焊盘的沿着与所述焊盘列的所述列方向垂直的方向的焊盘长度小。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述至少1个第二焊盘的每一个的中心点被形成在从通过所述至少1个第一焊盘的中心的所述焊盘列的所述列方向沿所述第一方向偏离所述连接部长度后的位置。

5.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述至少1个第一焊盘的每一个连接于从静电放电保护所述电路块的保护电路,所述至少1个第一焊盘的每一个经由所述保护电路的每一个连接于所述电路块。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述保护电路的每一个在所述半导体基板上形成在所述焊盘组的与所述电路块相反的一侧。

7.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述至少1个第二焊盘是在所述至少1个第二焊盘上未形成接合线的非接合焊盘。

8.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,具有以夹持着所述焊盘组的方式设置的一对表面布线。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,

在所述至少1个第一焊盘的每一个形成有从所述至少1个第一焊盘的每一个向所述第一方向伸长的第一抽出部,所述第一抽出部的每一个具有所述第一连接部以及连接于所述第一连接部和所述第一焊盘间的第一延长部,

在所述至少1个第二焊盘的每一个形成有从所述至少1个第二焊盘的每一个向所述第二方向伸长的第二抽出部,所述第二抽出部的每一个具有所述第二连接部以及连接于所述第二连接部和所述第二焊盘间的第二延长部,

所述至少1个第二焊盘的每一个被形成在从通过所述至少1个第一焊盘的中心的所述焊盘列的所述列方向沿所述第一方向移动了将所述连接部长度以及所述第一连接部和所述一对表面布线的第一表面布线间的距离相加后的距离的位置。

10.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体基板在从与所述半导体基板垂直的方向来看时具有矩形形状,所述电路块形成在所述半导体基板的中央部,所述焊盘组沿着所述半导体基板中的相向的2边而形成在所述电路块的外侧,所述保护电路形成在所述焊盘组与所述半导体基板的周缘部之间,所述第一方向是从所述至少1个第一焊盘来看朝向所述半导体基板的外侧的方向。

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