[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：

具有第一导电类型的第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上的发光层；

具有第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述发光层上；

设置在所述第二半导体层上的透明电极；

电连接至所述第一半导体层的第一电极；以及

电连接至所述第二半导体层的第二电极；

其中所述第III族氮化物半导体发光器件包括插入在所述第二半导体层与所述透明电极之间的绝缘多层膜，所述绝缘多层膜包括接触所述第二半导体层的第一表面和接触所述透明电极的第二表面；

所述绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器，并且形成在包括通过将所述第二电极投影至所述第二半导体层所获得的投影区域的区中；

所述绝缘多层膜包括第一区和第二区，其中所述第一区包括厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层，所述第二区包括厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层；以及

在所述第二区中所述绝缘多层膜的所述第二表面包括具有朝着所述第一表面凹陷的凹部的斜坡。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，在位于所述第二表面上并且二等分所述第二区的宽度的第一点处，所述绝缘多层膜的厚度为所述绝缘多层膜的最大膜厚度的5％至40％。

3.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，与位于所述第二表面上并且二等分所述第二区的宽度的第一点相比，在所述绝缘多层膜的厚度为最大膜厚度的1/2处的第二点位于更靠近所述第一区处。

4.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，与位于所述第二表面上并且二等分所述第二区的宽度的所述第一点相比，在所述绝缘多层膜的厚度为最大膜厚度的1/2处的第二点位于更靠近所述第一区处。

5.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第一线为将位于所述第二表面上并且二等分所述第二区的宽度的第一点连接至位于所述第二表面上并且对应于最大膜厚度的95％的第一端部的线，所述第二角形成在第二线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第二线为连接所述第一点与位于所述绝缘多层膜的外围处的第二端部的线。

6.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第一线为将二等分所述第二区的宽度的所述第一点连接至位于所述第二表面上并且对应于最大膜厚度的95％的第一端部的线，所述第二角形成在第二线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第二线为连接所述第一点与位于所述绝缘多层膜的外围处的第二端部的线。

7.根据权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第一线为将二等分所述第二区的宽度的所述第一点连接至位于所述第二表面上并且对应于最大膜厚度的95％的第一端部的线，所述第二角形成在第二线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第二线为连接所述第一点与位于所述绝缘多层膜的外围处的第二端部的线。

8.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一区和所述第二区的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第一线为将二等分所述第二区的宽度的所述第一点连接至位于所述第二表面上并且对应于最大膜厚度的95％的第一端部的线，所述第二角形成在第二线与所述绝缘多层膜的所述第一表面之间，所述第二线为连接所述第一点与位于所述绝缘多层膜的外围处的第二端部的线。