[发明专利]IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括光耦芯片和功率放大电路；所述光耦芯片包括隔离放大单元和故障保护单元；所述故障保护单元包括去饱和模块和故障反馈模块；

所述隔离放大单元，用于对外部控制器输入的外部驱动信号进行光电隔离并放大而得到IGBT驱动信号；

所述功率放大电路，用于对所述IGBT驱动信号进行功率放大，将功率放大后的IGBT驱动信号输出至IGBT的栅极；

所述去饱和模块，用于在检测到所述IGBT的集电极的电位过高或者所述IGBT的集电极的电位变化过快时向所述故障反馈模块发送警示信号；

所述故障反馈模块，用于在接收到所述警示信号后向所述外部控制器发送故障控制信号，从而控制所述外部控制器输出的外部驱动信号使得所述隔离放大单元输出控制所述IGBT关断的IGBT驱动信号；

所述故障保护单元还包括：电压钳位模块，用于当检测到所述IGBT的集电极的电位过高或者所述IGBT的集电极的电位变化过快时，向所述故障反馈模块发送警示信号或者控制对所述IGBT的集电极的电位进行钳位；

所述功率放大电路包括推挽功率放大单元；

所述推挽功率放大单元包括：

第一晶体管，栅极接入所述IGBT驱动信号，第一极接入第一电压，第二极与所述IGBT的栅极连接；以及，

第二晶体管，栅极接入所述IGBT驱动信号，第一极接入第二电压，第二极与所述IGBT的栅极连接；

所述推挽功率放大单元还包括：

第一电阻，连接于所述第一晶体管的栅极和所述第一晶体管的第二极之间；以及，

第一电容，连接于所述第二晶体管的栅极和所述第二晶体管的第一极之间；

所述功率放大电路还包括：

第二电阻，连接于所述光耦芯片的IGBT驱动信号输出端和所述第一晶体管的栅极之间；

第三电阻，连接于所述第一晶体管的第二极与所述IGBT的栅极之间；

第四电阻，连接于所述第二晶体管的第一极和所述第二晶体管的第二极之间；

稳压单元，连接于所述IGBT的栅极和地端之间，用于对功率放大后的IGBT驱动信号进行稳压；以及，

第一滤波单元，连接于所述IGBT的栅极和地端之间，用于对功率放大后的IGBT驱动信号进行滤波。

2.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述稳压单元包括：

第一稳压二极管，阴极与所述IGBT的栅极连接；以及，

第二稳压二极管，阳极与所述第一稳压二极管的阳极连接，阴极接地。

3.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述第一滤波单元包括：相互并联的第五电阻和第二电容；

所述第五电阻的第一端与所述IGBT的栅极连接，所述第五电阻的第二端与地端连接；

所述IGBT的发射极与地端连接。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述光耦芯片的型号为FOD8332。

5.如权利要求4所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括：集电极电位检测单元，与所述IGBT的集电极连接，还通过所述光耦芯片的DESAT引脚与所述去饱和模块连接；

所述去饱和模块通过所述集电极电位检测单元检测所述IGBT的集电极的电位是否过高，所述IGBT的集电极的电位变化是否过快；

当所述光耦芯片包括的去饱和模块检测到所述IGBT的集电极的电位过高或者所述IGBT的集电极的电位变化过快时，所述光耦芯片包括的故障反馈模块通过引脚向所述外部控制器发送所述故障控制信号。

6.如权利要求5所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述集电极电位检测单元包括：

第三电容，第一端与所述光耦芯片的VE引脚连接，第二端与所述光耦芯片的DESAT引脚连接；

第六电阻，第一端与所述第三电容的第一端连接；

第一二极管，阳极与所述第六电阻的第二端连接，阴极与所述IGBT的集电极连接；以及，

第三稳压二极管，阴极与所述光耦芯片的VE引脚连接，阳极与地端连接。