[发明专利]一种金线莲的培育方法有效
申请号: | 201510416260.1 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105123512B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 陈考科 | 申请(专利权)人: | 河源市裕森农林发展有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司44259 | 代理人: | 姚迎新 |
地址: | 517000 广东省河源市新市区学前坝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金线莲 培育 方法 | ||
1.一种金线莲的培育方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,培养基的配制:
诱导培养基:改良MS培养基+0.5mg/L 6-BA+0.3mg/L IBA+50g/L香蕉浸提物;
增殖生根培养基:采用改良MS培养基+0.6mg/L NAA+0.3mg/L IBA+50g/L香蕉浸提物;
步骤二,材料消毒处理:将采集的金线莲用自来水冲洗干净,取2-3厘米的主茎段,去除多余的叶片,置无菌水中刷洗干净,刷洗干净后,用75%的酒精消毒30s,加入氯化汞溶液处理10-12min;再用无菌水冲4-6遍;
步骤三,诱导培养:将消毒后的材料接种于经高温、高压灭菌的诱导培养基中;培养条件:培养室温度为25±5℃,光照时间12h/d,光照强度500-1000lx,芽诱导培养15天;得到丛生芽;
步骤四,增殖生根培养:将经步骤三诱导培养所得到的丛生芽剪成1-2厘米后接种在增殖生根培养基中;接种时将茎段平放在培养基上,经过30-50d增殖生根培养,培养条件:培养室温度为25±5℃,光照时间12h/d,光照强度500-1000lx;得到生根后的植株;
步骤五,移栽:将生根后的植株转移到泥炭土和腐殖土混合成的基质中,培养温度25~30℃,湿度保持在60%-75%之间,每天光照9~13小时,光照强度1500~2000lx。
2.如权利要求1所述的金线莲的培育方法,其特征在于:所述诱导培养基中加入占所述培养基质量百分比为1%-5%的活性炭。
3.如权利要求1所述的金线莲的培育方法,其特征在于:所述增殖生根培养培养基中加入了占所述培养基质量百分比为1%-5%的活性炭。
4.如权利要求1所述的金线莲的培育方法,其特征在于:将步骤四得到的植株作为原材料接种到诱导培养基中重复步骤三至步骤四得到可移栽的植株。
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