[发明专利]用于处理基板的装置和方法有效
申请号: | 201510416484.2 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105280475B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 张秀逸 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,其特征在于,所述装置包括:
容器,所述容器具有顶端开放的处理空间;
可旋转支撑单元,所述可旋转支撑单元支撑设置在所述处理空间中的基板;
加热单元,所述加热单元加热由所述支撑单元支撑的基板;以及
流体供应单元,所述流体供应单元将流体供应到设置在所述支撑单元上的基板;
其中,所述加热单元包括:
多个加热器,所述多个加热器分别安装在所述支撑单元的多个区域中,其中,每个加热器具有与所述支撑单元同轴的环形形状;以及
控制器,所述控制器控制所述多个加热器,
其中,所述控制器通过第一模式控制所述多个加热器,直到所述多个区域达到目标温度,
在所述多个区域达到所述目标温度之后,所述控制器通过不同于所述第一模式的第二模式控制所述多个加热器,
在所述第一模式中,所述控制器为所述多个加热器提供彼此不同的功率,其中,供应到所述多个加热器中具有最低温度上升速率的加热器的功率为常规设置,供应到所述多个加热器中其他加热器的功率设置为限制所述其他加热器的温度上升速率。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个区域包括:
中心区域,所述中心区域具有与所述支撑单元同轴的圆形形状;以及
边缘区域,所述边缘区域具有与所述中心区域同轴的环形形状。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,每个加热器包括灯具,以及
其中,设置在所述多个区域中的灯具等间距排列。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,为设置在所述中心区域的灯具提供的功率大于为设置在所述边缘区域的灯具提供的功率。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,在所述第二模式中,所述控制器利用比例积分微分PID控制方法加热多个所述灯具的每一个。
6.一种用于处理基板的方法,其特征在于,所述方法包括:
通过分别安装在支撑单元的多个区域中的多个加热器均匀加热由所述支撑单元支撑的基板,其中,每个加热器具有与所述支撑单元同轴的环形形状;
其中,通过第一模式控制所述多个加热器,直到所述多个区域达到目标温度,
在所述多个区域达到所述目标温度之后,通过不同于所述第一模式的第二模式控制所述多个加热器,
在所述第一模式中,为所述多个加热器提供彼此不同的功率,其中,供应到所述多个加热器中具有最低温度上升速率的加热器的功率为常规设置,供应到所述多个加热器中其他加热器的功率设置为限制所述其他加热器的温度上升速率。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述多个区域包括:
中心区域,所述中心区域具有与所述支撑单元同轴的圆形形状;以及边缘区域,所述边缘区域具有与所述中心区域同轴的环形形状。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,每个加热器包括灯具,以及
其中,设置在所述多个区域中的灯具等间距排列。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,为设置在所述中心区域的灯具提供的功率大于为设置在所述边缘区域的灯具提供的功率。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述第二模式中,利用比例积分微分PID控制方法加热多个所述灯具的每一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造