[发明专利]一种直读光谱仪激发电源电路在审
申请号: | 201510416999.2 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105067589A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 马建州;廖波;袁海军;顾惠惠 | 申请(专利权)人: | 无锡创想分析仪器有限公司 |
主分类号: | G01N21/67 | 分类号: | G01N21/67 |
代理公司: | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直读 光谱仪 激发 电源 电路 | ||
1.一种直读光谱仪激发电源电路,所述激发电源电路将待分析样品(5)中的原子瞬间加温形成原子发射光谱,其特征在于:所述激发光源电路包括直流电源(1)、功率电感(2)、步进电机(3)、激发电极(4)、功率MOS管(6)和功率MOS管驱动电路(7),所述直流电源(1)给激发光源电路提供直流电流,所述功率电感(2)阻隔交流电流,使激发光源电路中只有直流电流,所述步进电机(3)控制激发电极(4)上下移动,所述激发电极(4)的尖端放电产生电弧,与所述待分析样品(5)之间形成稳定的电弧放电,使待分析样品(5)内的原子发光,所述功率MOS管(6)控制放电回路的形成与断开,所述功率MOS管驱动电路(7)通过控制脉冲控制功率MOS管(6)的导通与截止;所述直流电源(1)依次连接功率电感(2)、激发电极(4)、待分析样品(5)和功率MOS管(6)形成一个闭合回路,步进电机(3)连接激发电极(4),功率MOS管驱动电路(7)连接功率MOS管(6)。
2.根据权利要求1所述的直读光谱仪激发电源电路,其特征在于:所述功率MOS管(6)为N沟道增强型MOSFET,功率MOS管(6)的栅极与功率MOS管驱动电路(7)连接,功率MOS管(6)的漏极与待分析样品(5)连接,功率MOS管(6)的源极与直流电源(1)的负极连接,直流电源(1)的正极与功率电感(2)连接。
3.根据权利要求1所述的直读光谱仪激发电源电路,其特征在于:所述激发电极(4)与待分析样品(5)之间的距离在3mm时,形成稳定的电弧放电。
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