[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层，其特征在于，还包括在所述衬底基板上形成反射层，所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状；其中，所述反射层设置在所述钝化层的表面上，所述反射层与所述衬底基板之间还设置有金属层；

在所述衬底基板上形成所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极、所述钝化层和所述反射层包括：

在所述衬底基板上依次形成所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层；

在形成有所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层的衬底基板上采用铜材料形成源漏金属薄膜；

采用半透膜曝光工艺在所述源漏金属薄膜上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述源漏极的区域，所述光刻胶半保留区域对应所述反射层的区域；

去除所述光刻胶去除区域的源漏金属薄膜；

利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

采用包含有卤素元素的物质对所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜进行等离子体处理，从而使所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜的表面形成凹凸不平状的结构；

去除剩余的光刻胶，并依次形成所述钝化层和所述反射层，且所述钝化层以及所述反射层厚度均匀，从而使得所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状的结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述包含有卤素元素的物质为以下的至少一种：Cl₂、Br₂、I₂、HCl、HBr、HI。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述等离子体处理中，所述衬底基板的温度小于200摄氏度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为300埃米～1000埃米。

5.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层，其特征在于，所述衬底基板上还形成反射层，所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状；其中，所述反射层设置在所述钝化层的表面上，所述反射层与所述衬底基板之间还设置有金属层；

所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极和所述钝化层依次设置在所述衬底基板上，所述反射层设置在所述钝化层的表面上，所述钝化层以及所述反射层厚度均匀，所述反射层与所述衬底基板之间还设置有与所述源漏极同层制作的铜金属层，且所述铜金属层朝向所述反射层的表面为采用包含有卤素元素的物质进行等离子体处理后形成的凹凸不平状的结构。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述包含有卤素元素的物质为以下的至少一种：Cl₂、Br₂、I₂、HCl、HBr、HI。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的厚度为300埃米～1000埃米。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5-7任一所述的阵列基板。