[发明专利]阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构

说明书

本发明提供了一种阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构。该方法将色阻层(30)制作于第一保护层(25)上，通过湿蚀刻制程将位于栅极(21)与源/漏极(24)上方区域内的色阻层(30)去除，再沉积覆盖色阻层(30)及第一保护层(25)的第二保护层(40)；像素电极(50)形成于第二保护层(40)上，经由贯穿所述第二保护层(40)与第一保护层(25)的过孔(45)接触源/漏极(24)；然后在经所述湿蚀刻制程去除色阻层(30)的区域内填充黑色矩阵材料，使用一道狭缝衍射光罩同时制作出黑色矩阵(60)及位于黑色矩阵(60)上与黑色矩阵(60)一体的间隙物(70)，能够提高开口率，避免出现气泡，同时节省光罩，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。彩膜基板一侧设置有用于滤光的多种颜色的色阻及用于遮光的黑色矩阵。由于将彩膜基板与阵列基对组时容易出现对位偏差，造成液晶显示面板的开口率降低及漏光的问题。为解决上述问题，提出了阵列彩膜集成式的液晶显示面板，可将彩膜制作于TFT阵列基板一侧(Color Filter On Array，COA)，将黑色矩阵制作于阵列基板一侧(Black Matrix OnArray，BOA)，以及将光阻间隙物制作于阵列基板一侧(Photo Spacer On Array)。阵列彩膜集成式的液晶显示面板由于彩膜与黑色矩阵均集成在阵列基板一侧，能够减少对位偏差，增加开口率，降低寄生电容，适于做成曲面形状。

但是现有的阵列彩膜集成式液晶显示面板在制作过程中需要在色阻层上开孔，用于将像素电极电性连接至TFT的源/漏极，由此引起的问题是在色阻层上开孔一方面会造成开口率下降，另一方面在色阻层上开孔还容易隐藏气体，当液晶显示面板遇到高温、震动、或撞击时，隐藏的气体就会溢出，形成气泡(Bubble)，占据液晶的位置，造成显示异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法，在不需要在色阻层上开孔的前提下，实现像素电极与源/漏极之间的连接，提高开口率，避免出现气泡，提升液晶显示面板的显示品质，同时节省光罩，降低生产成本。

本发明的目的还在于提供一种阵列彩膜集成式液晶显示面板结构，其开口率较高，显示品质较好，生产成本较低。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供第一基板，在所述第一基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、半导体层、及源/漏极，再通过沉积工艺形成覆盖源/漏极、半导体层、与第一基板的第一保护层；

步骤2、在所述第一保护层上制作色阻层，通过湿蚀刻制程将位于所述栅极与源/漏极上方区域内的色阻层去除；

步骤3、通过沉积工艺形成覆盖色阻层及第一保护层的第二保护层，再蚀刻出贯穿所述第二保护层与第一保护层的过孔，暴露出源/漏极的部分表面；

步骤4、在所述第二保护层上形成像素电极，所述像素电极经由过孔与所述源/漏极接触；