[发明专利]硅单晶拉制方法在审
| 申请号： | 201510417457.7 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105063744A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李英涛;徐由兵;贾瑞峰;邹凯;高一凡;曾世铭 | 申请（专利权）人： | 包头市山晟新能源有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 刘春生;于宝庆 |
| 地址： | 014100 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅单晶 拉制 方法 | ||
1.一种硅单晶拉制方法，其特征在于，包括以下步骤：
全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；然后将所述坩埚转开至引晶转速稳定熔体；
引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶；
放肩；
转肩；
等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长；
收尾；以及
停炉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将熔化的硅料降至引晶功率步骤前，控制熔化的硅料温度不超过1550℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔体在所述坩埚内稳定3小时以上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Dash缩颈排除位错法引晶过程中，细颈为Φ3.5～Φ4mm之间，长度>150mm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩步骤中后期形成的肩部夹角为90°～120°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述转肩步骤中当直径接近Φ205mm时，采用低于1.5mm/min的拉速手动转肩。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等径步骤中所述手动控制晶体等径生长长度为30～50mm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等径步骤满足如下公式其中l为等径长度，单位为mm；m为等径长度内晶体重量，单位为Kg；d为晶体的直径，单位为mm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述收尾步骤中收尾长度大于150mm，断面直径50mm。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述停炉步骤后晶体以4～5mm/min的拉速上升冷却。
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