[发明专利]一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法在审
申请号: | 201510418516.2 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN105140146A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 秦飞;孙敬龙;安彤;陈沛;宇慧平;王仲康;唐亮 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尺寸 磨削 厚度 在线 测量方法 | ||
1.一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于:晶圆传输到真空吸盘上吸附之前,先在吸盘(6)表面平铺直径大于晶圆直径的开孔铝片(7);然后将电容传感器(4)安装在传感器悬臂支架上(5),传感器探头与铝片之间距离(11)为1mm;采用屏蔽线(10)将铝片、电容传感器(4)和电容检测装置连接在一起,形成电容回路,标定出电容传感器电极板与铝片之间距离H;当晶圆(3)吸附在铝片上方时,电容量将发生变化;磨削过程随晶圆表面材料不断去除,晶圆厚度也随之发生变化,电容量也不断变化;建立电容量与晶圆厚度之间的关系,通过监测电容变化实现对晶圆厚度的实时全面监测。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于,铝片(7)表面开通孔,铝片厚度范围0.2~0.4cm。
3.根据权利要求2所述的一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于,铝片表面开孔方式为机械开孔,开孔位置对应吸盘上吸孔位置。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于,电容传感器(4)沿晶圆径向分布,电容传感器探头为圆形,电极板半径为2.5~3cm。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于,电容传感器悬臂支架(5)为非导电材料。
6.根据权利要求1所述的一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于,电容回路所采用连接线为屏蔽线(10)。
7.根据权利要求1所述的一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于,晶圆厚度与电容之间的关系为:
式中d为晶圆任意时刻厚度,S为电容传感器电极板有效面积,C为电容量,H为电容传感器极板与铝片的距离,ε0为真空中介电常数,ε为空气介电常数,εr为晶圆介电常数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510418516.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种收割机的割台稳定装置
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造