[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模，是显示装置制造用的光掩膜，其具有转印用图案，该转印用图案通过对成膜于透明基板上的半透光膜以及遮光膜分别进行图案化而形成，所述光掩模的特征在于，

用于使用具有数值孔径NA为0.08～0.20的光学系统的曝光装置进行曝光，从而在被转印体上形成独立孔图案，

所述半透光膜使处于i线～g线的波长范围内的代表波长的光偏移150～210度，并且具有相对于所述代表波长的透过率T1，其中，T1的单位为％，

所述遮光膜相对于所述代表波长的光，光学浓度OD为3以上，

所述转印用图案具有：

主图案，该主图案由露出所述透明基板的透光部构成且直径为W1，其中，W1的单位为μm；

辅助图案，该辅助图案配置于所述主图案的附近，由在所述透明基板上形成有所述半透光膜的半透光部构成且宽度为d，其中d的单位为μm；以及

遮光部，该遮光部配置于所述转印用图案的、形成所述主图案以及所述辅助图案以外的区域，且在所述透明基板上至少形成有所述遮光膜，

所述辅助图案具有正多边形带或者圆形带的形状，并且包围所述主图案的周围，

将所述主图案的中心与所述辅助图案的宽度方向的中心的距离设为P时，其中，P的单位为μm，

满足下述式(1)、(2)、(5)以及(6)，

0.8≤W1≤3.0 ···(1)

30≤T1≤80 ···(5)

1.0<P≤5.0 ···(6)。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，

所述辅助图案的所述宽度d满足d≤W1。

3.根据权利要求1或者2所述的光掩模，其特征在于，

所述转印用图案与所述主图案对应地，在被转印体上形成直径W2的孔图案，其中，W1＞W2。

4.根据权利要求3所述的光掩模，其特征在于，

当将所述主图案的所述直径W1与所述被转印体上的所述直径W2之差W1－W2设为偏置β，其中β的单位为μm时，0.2≤β≤1.0。

5.根据权利要求1或者2所述的光掩模，其特征在于，

所述透光部使所述透明基板露出，

所述半透光部通过在所述透明基板上形成所述半透光膜而形成，

所述遮光部通过在所述透明基板上层叠所述半透光膜和所述遮光膜而形成。

6.根据权利要求1或者2所述的光掩模，其特征在于，

所述半透光膜由含Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、Ti中任一个和Si的材料、或者含上述材料的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或者氧化氮化碳化物的材料构成。