[发明专利]一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法

权利要求书

1.一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供磨削后的单晶硅晶圆，清水冲洗晶圆表面，固定晶圆并用有机溶剂清洗；确定测试点，测试点位于<110>晶向，沿半径分布，至少3个测试点，第一测试点距晶圆圆心10-15mm，第二测试点距第一测试点40-60mm，第三测试点距第二测试点40-60mm；利用“杨氏”溶液对每个测试点进行腐蚀，每个测点共腐蚀8次，每次腐蚀时间分别为2s、3s、4s、5s、10s、15s、25s、40s，每次腐蚀结束均用清水清洗腐蚀区以终止腐蚀；待腐蚀区干燥，首先利用白光干涉仪测量腐蚀深度，然后利用拉曼光谱测量残余应力。

2.如权利要求1所述的一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法，其特征在于，所述“杨氏”溶液的配比为H₂O:HF49％:Cr₂O₃＝500ml:500ml:75g。

3.如权利要求1所述的一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法，其特征在于，对拉曼测试曲线进行高斯拟合。