[发明专利]高像素影像传感器封装结构及其制作方法

权利要求书

1.高像素影像传感器封装结构制作方法，其特征在于：该方法包括下述流程，

S1准备一盖板(100)，通过均胶机在盖板第一表面(100a)上均匀涂布一层光刻胶，利用曝光显影工艺将需要制作收容空间的窗口打开，最后通过刻蚀工艺在盖板第一表面(100a)形成空腔；利用相似的工艺，在形成的空腔中再形成一个面积较小的通孔；

S2将透明盖板(200)以单颗形式，使用拾取设备将其放置于盖板收容结构(101)中；

S3通过均胶机在支撑盖板第一表面(300a)上均匀涂布一层光刻胶，利用曝光显影工艺将需要制作收容空间的窗口打开，然后通过刻蚀工艺在支撑盖板第一表面形成收容空间；利用相似的工艺，在形成的收容空间中再形成一个面积较小的空腔，最终形成具有阶梯状的收容结构；

S4使用键合机台将放置有透明盖板(200)与支撑盖板第一表面(103a)上的键合胶互相键合在一起，此时透明盖板(200)置于盖板的收容结构(101)与支撑盖板的收容结构(301)共同形成的收容空间中；

S5通过研磨机对支撑盖板第二表面(300b)进行研磨，减薄到设定厚度，留有一定厚度的支撑材料，再对支撑盖板第二表面(103b)进行干法刻蚀，露出支撑盖板收容结构(301)；

S6晶圆第一表面为功能面，其上设置有钝化层(401)、元件区(403)及元件区周边的若干导电焊垫(402)；所述钝化层暴露导电焊垫(402)，所述元件区与导电焊垫(402)通过内部电路进行电性连接；将支撑盖板第二表面(300b)与晶圆第一表面通过键合胶互相键合起来，使元件区放置于支撑盖板收容结构(301)的中央位置；

S7通过研磨机对晶圆第二表面进行研磨，减薄到设定厚度，并在减薄后对晶圆背面进行去应力等离子刻蚀；接着形成一开口(404)，然后铺设钝化层、线路层、保护层形成布线层(405)，最后植焊球(406)；

S8对盖板第二表面(100b)进行研磨，减薄到设定厚度，留有一定厚度的盖板材料，再对盖板第二表面(100a)进行干法刻蚀，露出盖板第一表面形成的具有阶梯状的收容结构(101)；

S9对封装完成的晶圆进行切割，分离为单颗芯片。