[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，对所述基板(1)进行清洗与预烘烤后，在所述基板(1)上沉积一缓冲层(2)；

步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，得到底栅极(3)；

步骤3、在所述底栅极(3)、及缓冲层(2)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积非晶硅层(5)；

步骤4、对所述非晶硅层(5)进行P型掺杂，得到位于上方的P型掺杂非晶硅层(52)、及位于所述P型掺杂非晶硅层(52)下方的未掺杂非晶硅层(51)；

步骤5、采用固相结晶方法将所述未掺杂非晶硅层(51)、及P型掺杂非晶硅层(52)转化为未掺杂低温多晶硅层(61)、及P型掺杂低温多晶硅层(62)，采用一道光刻制程对所述未掺杂低温多晶硅层(61)、及P型掺杂低温多晶硅层(62)进行图案化处理，形成低温多晶硅岛(6)；

步骤6、在所述低温多晶硅岛(6)、及栅极绝缘层(4)上方沉积第二金属层(7)，在所述低温多晶硅岛(6)的未掺杂低温多晶硅层(61)上定义出对应于所述底栅极(3)上方的沟道区(613)，采用一道光刻制程对该第二金属层(7)、及低温多晶硅岛(6)进行图案化处理，去除位于所述沟道区(613)上方的P型掺杂低温多晶硅层(62)、及第二金属层(7)，从而形成对应所述沟道区(613)两侧的源极(71)与漏极(72)、及第一P型掺杂低温多晶硅层(621)与第二P型掺杂低温多晶硅层(622)；

所述源、漏极(71、72)分别与所述第一、第二P型掺杂低温多晶硅层(621、622)相接触；

步骤7、在所述源、漏极(71、72)、沟道区(613)、及栅极绝缘层(4)上沉积钝化层(8)；

步骤8、在所述钝化层(8)上沉积第三金属层，并对该第三金属层进行图案化处理，得到对应所述底栅极(3)的顶栅极(9)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，采用乙硼烷气体对所述非晶硅层(5)进行硼离子掺杂。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，在固相结晶的过程中，采用快速热退火的方法对所述未掺杂非晶硅层(51)、及P型掺杂非晶硅层(52)进行加热，加热温度为670～730℃，时间为10～30min。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述底栅极(3)为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构；所述底栅极(3)的厚度为1500～2000A；

所述步骤8中，所述顶栅极(9)为单层铝结构、单层钼结构、或者由两层钼夹设一层铝的三层结构；所述顶栅极(9)的厚度为1500～2000A。

5.如权利要求4所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述顶栅极(9)与底栅极(3)的大小、厚度、及材料完全相同。

6.一种TFT基板，其特征在于，包括：基板(1)，设于所述基板(1)上的缓冲层(2)，设于所述缓冲层(2)上的底栅极(3)，设于所述缓冲层(2)及底栅极(3)上的栅极绝缘层(4)，设于所述栅极绝缘层(4)上的低温多晶硅岛(6)，设于所述低温多晶硅岛(6)及栅极绝缘层(4)上的源极(71)与漏极(72)，设于所述源、漏极(71、72)、低温多晶硅岛(6)及栅极绝缘层(4)上的钝化层(8)，及设于所述钝化层(8)上且对应所述底栅极(3)的顶栅极(9)；

其中，所述低温多晶硅岛(6)包括未掺杂低温多晶硅层(61)及设于所述未掺杂低温多晶硅层(61)上的P型掺杂低温多晶硅层(62)，所述未掺杂低温多晶硅层(61)上设有对应于所述底栅极(3)与顶栅极(9)的沟道区(613)，所述P型掺杂低温多晶硅层(62)包括对应所述沟道区(613)两侧的第一P型掺杂低温多晶硅层(621)、及第二P型掺杂低温多晶硅层(622)；所述源、漏极(71、72)分别与所述第一、第二P型掺杂低温多晶硅层(621、622)相接触。

7.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述第一P型掺杂低温多晶硅层(621)、及第二P型掺杂低温多晶硅层(622)中掺入的杂质为硼离子。