[发明专利]一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法。

背景技术

太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上，形成新的空穴-电子对(V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅(Si)电池，三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu2S,Cds/CdTe,Cds/InP,CdTe/Cu2Te)，无机电池，有机电池等，其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达99.9999％、电阻率在10Ω-cm以上的P型单晶硅，包括正面绒面、正面p-n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。在组件封装为正面受光照面加透光盖片(如高透玻璃及EVA)保护，防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。

传统晶硅太阳能电池的制造工艺有6道工序，分别为制绒，扩散，去磷硅玻璃和背结，镀膜，丝网印刷，烧结。电池结构设计较简单，导致存在技术问题而无法大幅提升电池的光电转换效率，例如太阳光的能量不能得到很好的利用，形成所谓的“死层”。前表面的金属电极不能做得很窄，否则遮挡了光在硅片内的有效吸收、单一扩散技术无法有效解决电极接触电阻、横向电阻功耗及短波响应问题、单面钝化无法使得反向饱和电流密度下降等技术难点，为了有效改善上述问题，本发明设计出一种新型电池结构，电池正面采用”倒金字塔”结构，受光效果优于普通绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的Jsc。淡磷、浓磷分区扩散，栅指电极下浓磷扩散可以减少栅指电极接触电阻；而受光区域淡磷扩散能满足横向电阻功耗小且短波响应好的要求。背面进行定域、小面积的硼扩散P+区，可减少背电极的接触电阻，又增加了硼背场，蒸镀铝的背电极本身又是很好的背反射器，进而提高了电池的转换效率。采用双面钝化，发射极表面钝化降低表面态，同时减少了前表面的少子复合，而背面钝化使反向饱和电流密度下降，同时光谱响应也得到改善。

本发明一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池相较于传统太阳能电池具有高光电转换效率、结构设计新颖等优点。

发明内容

本实用新型需要解决的技术问题是通过在电池正面采用“倒金字塔”结构，使受光效果优于普通绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的Jsc；提供了一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法。

本发明提供了一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法，包含如下步骤：

S1:硅片正面制作倒金字塔结构；

S2:硅片背面局部区域硼(BBr₃)扩散；

S3:硅片正面栅指电极浓磷(POCl₃)扩散；

S4:硅片正面淡磷(POCl₃)扩散；

S5:硅片正面氧化硅(SiO₂)减反射钝化层沉积；

S6:硅片背面氧化硅(SiO₂)钝化层沉积；

S7:硅片背面光刻电极接触孔；

S8:硅片正面光刻栅指电极引线孔；

S9:硅片正面蒸镀栅指电极；

S10:硅片背面蒸镀铝电极；

S11:硅片正面电镀银；

S12:退火,形成太阳能电池。

上述方法中所述的步骤S1采用化学溶液湿法刻蚀技术来实现，其中包含以下步骤：1.去损伤层：反应温度：80-90℃,反应时间：2-4min，NaOH：H₂0＝10-15％wt；2.制绒：反应温度：70-80℃，反应时间：20-35min，NaOH：H₂O＝1-3％wt，C₂H₅OH：H₂O＝4-6％vol，Na₂SiO₃：H2O＝1-2％wt；3.喷淋：水流速：10-15L/min，反应时间：1-3min；4.鼓泡漂洗：反应温度：65-75℃，反应时间：3-6min，使用HCl及HF。