[发明专利]一种晶体管的评估方法在审
申请号: | 201510424012.1 | 申请日: | 2015-07-17 |
公开(公告)号: | CN105047578A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 何永;冯骏;王者伟 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;邓猛烈 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体管 评估 方法 | ||
1.一种晶体管的评估方法,其特征在于,包括:
将周期为T的第一脉冲信号施加在所述晶体管的第一端;
在经过至少n个周期之后,对所述晶体管进行电性能测试,以获得第一参数,其中,n为大于或等于1的正整数;
根据对所述晶体管的初始参数和所述第一参数进行比较,以评估所述晶体管的可靠性;
将周期为T的第二脉冲信号施加在所述晶体管的第二端;
在经过至少n个周期之后,对所述晶体管进行电性能测试,以获得第二参数,其中,n为大于或等于1的正整数;
根据对所述晶体管的初始参数和所述第二参数进行比较,以评估所述晶体管的可靠性;
其中,所述晶体管的第一端为所述晶体管的栅极,所述晶体管的第二端为所述晶体管的漏极;或者,所述晶体管的第一端为所述晶体管的漏极,所述晶体管的第二端为所述晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的评估方法,其特征在于,所述T的周期宽度为脉冲宽度T1和空白宽度T2。
3.根据权利要求2所述的评估方法,其特征在于,所述T的周期宽度还包括上升沿宽度T3和下降沿宽度T4。
4.根据权利要求3所述的评估方法,其特征在于,所述脉冲宽度T1和所述空白宽度T2相同;所述上升沿宽度T3和所述下降沿宽度T4相同。
5.根据权利要求1所述的评估方法,其特征在于,所述n具体为:规定的标准晶体管在使用寿命期间进行开/断的总次数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造