[发明专利]远程跟踪控制式安全箱

权利要求书

1.远程跟踪控制式安全箱，其特征在于，包括控制中心，安全箱主体，设置在安全箱主体上的电磁锁、烟雾报警器、声音报警器、脱落把手以及高压电击器，和设置在安全箱主体内部的通过UART总线相连接的主控制板与子控制板；在主控制板与子控制板上分别设置有一个DC-DC/LDO电源转换结构，主控制板通过DC-DC/LDO电源转换结构连接有7.4V充放电管理结构，子控制板通过DC-DC/LDO电源转换结构连接有12V充放电管理结构；所述主控制板包括主控单片机，分别通过UART总线与该主控单片机相连接的NFC电路、GPS/BD电路、3G/GPRS电路、指纹检测电路以及RF遥控电路，通过SPI总线与主控单片机相连接的SD存储电路与OLED屏电路，以及通过IIC总线与主控单片机相连接的陀螺仪电路；所述子控制板包括子控单片机，以及与该子控单片机相连接的SD存储电路、NFC电路、陀螺仪电路、GPS/BD电路、3G/GPRS电路和指纹检测电路；所述子控单片机分别通过不同的电源开关控制电路与电磁锁、烟雾报警器、声音报警器、脱落把手以及高压电击器相连接；主控制板与子控单片机通过UART总线相连接；DC-DC/LDO电源转换结构中设置有DC-DC/LDO电源转换电路，12V充放电管理结构中设置有12V充放电管理电路，在12V充放电管理电路上还连接有开关箱检测电路；3G/GPRS电路又由3G电路与GPRS电路组成；所述12V充放电管理电路由充放电管理芯片U1，连接器P1，MOS管Q2，MOS管Q3，MOS管Q4，MOS管Q5，一端与MOS管Q3的漏极相连接、另一端经电容C6后接地的电阻R8，与电阻R8并联的电阻R9，一端与MOS管Q3的漏极相连接、另一端经电阻R17后接地的电阻R10，与电阻R17并联的电容C13，串接在MOS管Q3的漏极与栅极之间的电容C7，串接在MOS管Q3的栅极与源极之间的电容C4，与电容C4并联的电阻R11，其中一个P极与MOS管的漏极相连接、另一个P极与子控单片机的VBAT管脚相连接、两个N极均经电阻R28后与充放电管理芯片U1的AVCC管脚相连接的稳压二极管组D2，一端与MOS管Q3的栅极相连接、另一端与充放电管理芯片U1的ACDRV管脚相连接的电阻R15，一端与MOS管Q3的源极相连接、另一端与充放电管理芯片U1的CMSRC管脚相连接的电阻R16，一端与MOS管Q2的漏极相连接、另一端经电容C17后与充放电管理芯片U1的AVCC相连接的电容C8，一端与MOS管Q2的漏极相连接、另一端经电阻R12后与充放电管理芯片U1的CAN管脚相连接的电阻R5，串接在充放电管理芯片U1的ACP管脚与CAN管脚之间的电容C5，N极与充放电管理芯片U1的两个SW管脚相连接、P极经电容C2后与电阻R5和电阻R12的连接点相连接的稳压二极管D1，与电容C2并联的极性电容C1，正极与MOS管Q4的源极相连接、负极接地的电容C3，一端与充放电管理芯片U1的SW管脚相连接、另一端经电阻R21后与MOS管Q4的漏极相连接的电感L1，一端与充放电管理芯片U1的SW管脚相连接、另一端经电阻R27后与充放电管理芯片U1的BTST管脚相连接的电容C14，一端与充放电管理芯片U1的REGN管脚相连接、另一端接地的电容C19，一端接地、一端与充放电管理芯片U1的SRP管脚相连接的电容C16，串接在充放电管理芯片U1的SRP管脚与SRN管脚之间的电容C18，一端与充放电管理芯片U1的SRN管脚相连接、另一端与MOS管Q4的漏极相连接的电阻R23，一端与MOS管Q4的漏极相连接、另一端接地的极性电容C9，分别与极性电容C9并联的极性电容C10和电容C11，一端与MOS管Q4的栅极相连接、另一端接地的电阻R7，一端与MOS管Q4的栅极相连接、另一端与充放电管理芯片U1的BATDRV管脚相连接的电阻R13，一端与MOS管Q4的漏极相连接、另一端接地的电容C12，一端与MOS管Q4的栅极相连接、另一端顺次经电阻R24、R29后接地的电阻R22，与电阻R24并联的电容C15，一端与连接器P1的NTC管脚相连接、另一端与充放电管理芯片U1的VREF管脚相连接的电阻R30，一端与连接器P1的NTC管脚相连接、另一端接地的电阻R32，一端与连接器P1的NTC管脚相连接、另一端与充放电管理芯片U1的TS管脚相连接的电阻R31，一端与充放电管理芯片U1的TTC管脚相连接、另一端接地的电容C21，一端与充放电管理芯片U1的VREF管脚相连接、另一端与电容C21的接地端相连接的电容C20，一端与充放电管理芯片U1的VREF管脚相连接、另一端接地的电阻R1，一端接3.3V输入电压、另一端同时与充放电管理芯片U1的STAT管脚和子控单片机的PB12管脚相连接的电阻R2，一端与子控单片机的PB11管脚相连接、另一端与MOS管Q5的源极相连接的电阻R14，一端接地、另一端与MOS管Q5的源极相连接的电阻R18，一端与MOS管Q5的栅极相连接、另一端作为输入端的电阻R6，串接在充放电管理芯片U1的ISET管脚与VREF管脚之间的电阻R19，一端接地、另一端与充放电管理芯片U1的ISET管脚相连接的电阻R25，串接在充放电管理芯片U1的VRET管脚与ACSET管脚之间的电阻R20，以及一端与充放电管理芯片U1的ACSET管脚相连接、另一端接地的电阻R26组成；其中，MOS管Q3的源极和栅极分别与MOS管Q2的源极和栅极相连接，MOS管Q2的漏极与充放电管理芯片U1的ACP管脚相连接，电容C8与电容C17的连接点接地，电阻R5与电阻R12的连接点同时与充放电管理芯片U1的两个PVCC管脚相连接，极性电容C1的负极接地，极性电容C1的正极与极性电容C3的正极相连接，充放电管理芯片U1的SRP管脚与电感L1和电阻R21的连接点相连接，电阻R24和电阻R29的连接点与充放电管理芯片U1的CELL管脚相连接，连接器P1的VCC管脚与MOS管Q4的漏极相连接，连接器P1的GND管脚接地，充放电管理芯片U1的三个PGND管脚和一个AGND管脚均接地，MOS管Q5的漏极接3.3V的输入电压，MOS管Q3的漏极为输入端，MOS管Q4的源极与连接器P1的VSYS管脚相连接。