[发明专利]一种次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法

权利要求书

1.一种次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）电池正极集成：选取ITO导电玻璃进行630nm激光划刻，然后脱模进行超声清洗；

（2）涂覆集热层：在所得ITO导电玻璃四周涂覆集热材料，制成环形集热层；

（3）硅基材料层沉积：对涂覆集热层后的ITO导电玻璃进行预热，然后进入PECVD程序进行沉积，沉积顺序依次为p型非晶硅层、i型非晶硅层和n型微晶硅层；

（4）电池负极集成：用532nm激光划刻所得硅基材料层，然后进行超声清洗，再在所述硅基材料层上进行镀铝，然后532nm激光划刻所得铝膜，进行超声清洗；

（5）保护背漆：在所得铝膜上进行丝印油墨，进行烘烤固化；

（6）引出电极：进行丝印铜浆，引出前电极和背电极，然后再进行烘烤固化，即得太阳能电池板；

（7）绝缘处理：在15wt%的ZnCl₂水溶液中，加入稀盐酸调节pH值为4～5，超声震荡2～3min后得绝缘溶液；将所得太阳能电池板固定，取所配溶液涂抹于丝印的油墨层上，2～3min之后，清洗去除，并快速干燥。

2.根据权利要求1所述次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法，其特征在于：所述集热层厚度为120～220nm。

3.根据权利要求1所述次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法，其特征在于：所述p型非晶硅层厚度5～10nm，所述i型非晶硅层厚度100～200nm，所述n型微晶硅层厚度20～30nm。

4.根据权利要求1所述次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法，其特征在于：

所述p型非晶硅层工艺条件为：使用B(CH₄)₃、SiH₄、CH₄、Ar、H₂气体，沉积温度180～210℃，功率密度0.2～0.35W/cm²，氢稀释比R由38匀速递减为30，硅烷与甲烷流量比为10：(1～1.35)，为沉积压力为150～220pa；

所述i型非晶硅层工艺条件为：使用SiH₄、Ar、H₂气体，其中R由30匀速递减为21，沉积温度190～220℃，功率密度0.2～0.45W/cm₂，沉积压力为55～95pa；

所述n型微晶硅层工艺条件为：使用PH₃、SiH₄、Ar、H₂气体，其中R由21匀速递减为15，沉积温度180～210℃，功率密度0.2～0.35W/cm²，沉积压力为90～150pa。

5.根据权利要求1所述次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法，其特征在于：所述集热材料为黑铬、黑镍、镍氧化铝或氮氧化钛。