[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

多个鳍状结构，该鳍状结构是设置于一基底上；

沟槽，是设置于该些鳍状结构之间；

侧壁层，是设置在该沟槽的侧壁上，其中，该侧壁层具有一顶面，该顶面低于该鳍状结构的一顶表面，该侧壁层包括氮化硅或氮氧化硅；以及

虚置栅极结构，设置在该鳍状结构上且横跨该沟槽，其中一部分的该虚置栅极结构位于该沟槽内。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

绝缘层，该绝缘层是完全填入该沟槽内。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该侧壁层是设置在该绝缘层及该些鳍状结构之间。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

衬垫层，设置在该绝缘层与该侧壁层之间。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

浅沟槽，设置在该基底，该浅沟槽环绕该些鳍状结构，其中，该衬垫层是设置在该浅沟槽的侧壁上。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该绝缘层是填入该浅沟槽内，且该衬垫层是设置在该鳍状结构及该绝缘层之间。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该沟槽包含一倾斜侧壁。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，该侧壁层另设置在该沟槽的一底面上。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该侧壁层仅接触该沟槽的该侧壁。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

衬垫层，设置在该侧壁层上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该衬垫层直接接触该沟槽的该侧壁的一上半部。

12.如权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该衬垫层的顶面高于该侧壁层的顶面且低于该鳍状结构的顶表面，该衬垫层具有位于该沟槽内的一肩部。

13.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一基底上提供多个轴心体；

移除该些轴心体的一部分以及该基底的一部分，以形成穿越该些轴心体的一沟槽；

在该些轴心体以及该沟槽的侧壁分别形成多个间隙壁；

利用该些间隙壁为掩模，以在基底上形成多个鳍状结构以及多个环绕该些鳍状结构的浅沟槽；以及

移除该间隙壁的一部分，以在该沟槽的侧壁上形成一侧壁层，其中，该侧壁层具有一顶面，该顶面低于该鳍状结构的一顶表面。

14.如权利要求13所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，还包含：

在该沟槽内形成一绝缘层，其中该绝缘层覆盖在该侧壁层上。

15.如权利要求14所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，还包含：

在该沟槽及该浅沟槽的表面上形成一衬垫层。

16.如权利要求15所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，该衬垫层是设置在该沟槽内，且位于该绝缘层与该基底之间。

17.如权利要求15所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，该衬垫层的顶面高于该侧壁层的顶面且低于该鳍状结构的顶表面，该衬垫层具有位于该沟槽内的一肩部。

18.如权利要求13所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，该沟槽包含一倾斜侧壁，且该侧壁层另形成在该沟槽的一底面上。

19.如权利要求13所述的形成半导体元件的方法，其特征在于，还包含：

形成横跨该沟槽的一虚置栅极结构，其中，一部分的虚置栅极结构是形成在该沟槽内。