[发明专利]一种用于高纯砷生产的氢化还原装置和高纯砷制备方法

权利要求书

1.一种用于高纯砷生产的氢化还原装置，包括：

氢化还原管，所述氢化还原管的进料端设置有进料管；

所述氢化还原管内部沿其气流前进方向依次为反应段和沉积段；

所述反应段的出气端设置有具有孔的隔板；

所述反应段设置有开口朝向氢化还原管进料端的回流管，所述回流管固定在所述隔板上；所述进料管的出料端探入到所述回流管内；

所述沉积段的出气端位于氢化还原管的出气端。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积段设置有可与氢化还原管分离的沉积管；所述沉积管的进气端位于沉积段的进气端，所述沉积管的出气端朝向氢化还原管的出气端。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述沉积管为锥形管；所述锥形管的小径端朝向氢化还原管的出气端。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述沉积管的长度大于等于所述沉积段的长度。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述沉积管通过设置在氢化还原管出气端的法兰固定在氢化还原管的沉积段。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述反应段和沉积段之间设置有缓冲段；所述缓冲段的进气端与反应段的出气端相连，所述缓冲段的出气端与沉积管的进气端相连。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述缓冲段的出气端设置有锥形挡板；所述锥形挡板的大径端与氢化还原管内壁相接触；所述锥形挡板的小径端朝向氢化还原管的出气端；所述锥形挡板的小径端探入到所述沉积管内。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述氢化还原装置还包括废气处理单元；所述氢化还原管的出气端与所述废气处理单元的进气端相连。

9.一种高纯砷的制备方法，包括以下步骤：

将三氯化砷和氢气通入权利要求1所述装置的氢化还原管的进料管，所述三氯化砷和氢气在所述氢化还原管的反应段加热反应，在沉积段得到固态高纯砷。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述氢化还原管的沉积段设置有可与氢化还原管分离的沉积管；所述沉积管的进气端位于沉积段的进气端，所述沉积管的出气端朝向氢化还原管的出气端；所述氢化还原管的反应段和沉积段之间设置有缓冲段；所述缓冲段的进气端与反应段的出气端相连，所述缓冲段的出气端与沉积管的进气端相连；

所述反应段的温度为700～900℃；所述缓冲段的温度为500～700℃；所述沉积段进气端的温度为350～400℃；所述沉积段出气端的温度为300～350℃。