[发明专利]一种采用膜工艺的烧蚀厚度传感器有效

专利信息
申请号: 201510425330.X 申请日: 2015-07-19
公开(公告)号: CN105066865B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 张昌金;程言峰;徐雨秀;刘建生;石松 申请(专利权)人: 张昌金
主分类号: G01B7/06 分类号: G01B7/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 工艺 厚度 传感器
【权利要求书】:

1.一种采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,包括烧蚀测棒(11)、外壳(12)、电路板(13)和接插件(14),其特征在于,所述烧蚀测棒(11)和接插件(14)分别连接在电路板(13)上,所述电路板(13)安装在外壳(12)内,所述烧蚀测棒(11)包括绝缘管(1)、内芯金属线(3)、绝缘紧固圈(5)和镀膜引线(6),所述绝缘管(1)的外壁镀上一层表面镀膜层(2),表面镀膜层(2)的表面涂敷有一层表面保护涂层(7),绝缘管(1)内插入有一根内芯金属线(3),绝缘管(1)的前端通过导电胶(4)将内芯金属线(3)和表面镀膜层(2)进行电连接,绝缘管(1)的尾端外壁镀膜上连接有镀膜引线(6),所述镀膜引线(6)和内芯金属线(3)组成一个电阻,所述绝缘管(1)的尾部外壁套设有一个绝缘紧固圈(5)。

2.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述绝缘管(1)采用的材料包括但不限于陶瓷、石英、高温玻璃、环氧玻璃布中的一种,绝缘管(1)的外径为1.2~3mm。

3.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述表面镀膜层(2)为薄膜镀层或厚膜涂层,表面镀膜层(2)包括但不限于金属膜、碳膜、掺杂半导体膜、金属氧化物膜中的一种,表面镀膜层(2)上刻蚀螺旋形、直线形或阶梯形的沟槽。

4.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述内芯金属线(3)采用的材料包括但不限于铂丝、铂铑丝、钨丝、钼丝中的一种。

5.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述绝缘管(1)内和内芯金属线(3)之间设有填充材料,填充材料采用但不限于环氧树脂胶和纳米二氧化钛的混合液。

6.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述内芯金属线(3)和表面镀膜层(2)也可以采用薄膜溅射、厚膜涂敷或锡钎焊方式进行电连接。

7.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述绝缘紧固圈(5)采用的材料包括但不限于环氧玻璃布层压板、聚四氟乙烯、聚砜中的一种。

8.根据权利要求1所述的采用膜工艺的烧蚀厚度传感器,其特征在于,所述表面保护涂层(7)采用的材料包括但不限于石蜡、醇酸清漆中的一种。

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