[发明专利]液晶介质

说明书

技术领域

本发明涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，

其中

R¹和R^1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这些基团中的一个或多个CH₂基团可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被卤素替代，

L¹和L²各自彼此独立地表示F、Cl、CF₃或CHF₂。

该类型介质可用于，特别是具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器和IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。

背景技术

1971年，首次提出了电场控制双折射，即ECB效应或者即DAP(排列相变形)效应的原理(M.F.SchieckelandK.Fahrenschon，″Deformationofnematicliquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields″，Appl.Phys.Lett.19(1971)，3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972)，1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973)，4869)发表了论文。

J.Robert和F.Clerc(SID80DigestTechn.Papers(1980)，30)，J.Duchene(Displays7(1986)，3)和H.Schad(SID82DigestTechn.Papers(1982)，244)发表的论文表明，液晶相必须具有高的弹性常量K₃/K₁的比值、高的光学各向异性Δn值和Δε≤-0.5的介电各向异性值，以便适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB效应的电-光显示元件具有垂直边缘排列(VA技术＝垂直排列)。负介电性的液晶介质还可以用于所谓的IPS或者FFS效应的显示器。