[发明专利]一种柔性射频应变可调无源高通滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种柔性射频应变可调无源高通滤波器，包括衬底(1)，其特征在于，所述的衬底(1)为柔性衬底，所述衬底(1)上设置有低介电常数绝缘层(2)，所述的低介电常数绝缘层(2)内设置有金属-绝缘层-金属结构的电容和电感(10)的输入电极，所述低介电常数绝缘层(2)的上端分别设置有滤波器输入端(11)、电容输入端(7)、电容输出端(8)、电感输入端(9)、滤波器输出端(12)、电感(10)以及地线(14)，其中，所述的滤波器输入端(11)通过一金属互连线(13)连接电容输入端(7)，所述电容输出端(8)通过一金属互连线(13)连接电感输入端(9)，所述电感输入端(9)通过一金属互连线(13)连接滤波器输出端(12)，所述电容输入端(7)还通过一金属互连线连接电容的一端，所述电容输出端(8)还通过一金属互连线连接电容的另一端，所述电感输入端(9)和电感(10)的一端分别各通过一金属互连线连接设置在所述低介电常数绝缘层(2)内的电感(10)的输入电极，所述电感(10)的另一端构成输出端通过一金属互连线连接地线(14)。

2.根据权利要求1所述的一种柔性射频应变可调无源高通滤波器，其特征在于，所述的电容包括有由下至上依次设置在所述低介电常数绝缘层(2)内的电容底层金属(3a)、电容高介电常数介质层(4)和电容的上层金属(5)，其中，所述电容的底层金属(3a)构成电容的一端通过一金属互连线连接电容输入端(7)，所述电容的上层金属(5)构成电容的另一端通过一金属互连线连接电容输出端(8)。

3.根据权利要求1所述的一种柔性射频应变可调无源高通滤波器，其特征在于，所述的电感为八角螺旋结构的电感或为方形螺旋结构的电感，其中，八角螺旋结构的电感或方形螺旋结构的电感设置在所述低介电常数绝缘层(2)内的输入电极(3b)连接所述的电感输入端(9)，八角螺旋结构的电感或方形螺旋结构的电感的另一端构成输出端连接地线(14)。

4.根据权利要求1所述的一种柔性射频应变可调无源高通滤波器，其特征在于，在所述的低介电常数绝缘层(2)中：对应所述电容输入端(7)和电容的底层金属(3a)之间、对应所述电容输出端(8)和电容的上层金属(5)之间、对应所述电感输入端(9)与电感的输入电极(3b)之间以及电感(10)与电感的输入电极(3b)之间分别各形成有能够贯穿金属互连线的通孔(6)。

5.根据权利要求1所述的一种柔性射频应变可调无源高通滤波器，其特征在于，所述的衬底(1)采用PET塑料衬底或ITO PET塑料衬底或为PVC塑料衬底。

6.根据权利要求1所述的一种柔性射频应变可调无源高通滤波器，其特征在于，所述的低介电常数绝缘层(2)采用SU-8材料。

7.一种权利要求1所述的一种柔性射频应变可调无源高通滤波器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)衬底准备：选用PET塑料或ITO PET塑料或为PVC塑料作为衬底，用氢氟酸和等离子水清洗；

2)用金属层的掩模板进行光刻，并采用真空电子束蒸发淀积30nm/400nm厚度的Ti/Au形成金属层，作为电容底层金属电极和电感的输入电极，然后用丙酮溶液和超声发生器剥离该金属层；

3)在电容底层金属电极上淀积SiO层：光刻并采用真空电子束蒸发淀积形成200nm厚度的SiO介质层，作为电容的介质层；

4)光刻并采用真空电子束蒸发淀积30nm/400nm厚度的Ti/Au形成金属层，作为电容上层金属电极，然后用丙酮溶液和超声发生器将SiO介质层和电容上层金属一起进行剥离；

5)均匀地旋涂一层1.0～1.5μm厚度的SU-8光刻胶，对于螺旋电感作为一层低介电常数的中间绝缘层，并进行光刻形成通孔，然后对SU-8层进行坚膜；

6)光刻并采用真空电子束蒸发淀积30nm/1.5μm厚度的Ti/Au形成金属层，构成滤波器输入端、电容输入端、电容输出端、电感输入端、电感、地线、滤波器输出端和互连线，然后用丙酮和超声发生器进行对形成的螺旋电感和互连线进行剥离，进而形成柔性射频无源滤波器。

8.根据权利要求7所述的柔性射频应变可调无源高通滤波器的制造方法，其特征在于，步骤1)中，要同时要确保PET塑料或ITO PET塑料或为PVC塑料的光刻机的对准标记清晰。

9.根据权利要求7所述的柔性射频应变可调无源高通滤波器的制造方法，其特征在于，所述的电感为八角螺旋结构的电感或为方形螺旋结构的电感。