[发明专利]单杆多级绕射有源双控变阻尼磁流变阻尼器在审
申请号: | 201510426859.3 | 申请日: | 2015-07-20 |
公开(公告)号: | CN105065555A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 班书昊;李晓艳;蒋学东;华同曙;席仁强;谭邹卿 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | F16F9/53 | 分类号: | F16F9/53;F16F9/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多级 有源 双控变 阻尼 流变 | ||
技术领域
本发明涉及变阻尼磁流变液仪器领域,特指一种单杆多级绕射有源双控变阻尼磁流变阻尼器。
背景技术
采用磁流变液制作的磁流变阻尼器在磁场作用下可以于毫秒时间内实现牛顿流体、Bingham半固体流体的相互转化,具有体积小、响应快、阻尼力可调等特点。现有技术的磁流变阻尼器是利用励磁线圈产生的磁场,改变在恒定工作间隙中流动的磁流变液的黏度,实现阻尼力的控制。虽然现有技术的磁流变阻尼器实现了变阻尼,但是仍存在着一定的缺陷:采用恒定的工作间隙难以输出巨大的阻尼力;单个励磁线圈对阻尼力的控制效果不佳。
发明内容
本发明需解决的技术问题是:针对现有技术存在的技术问题,本发明提供一种结构紧凑合理、变工作间隙和双线圈控制阻尼、能够输出巨大阻尼力且可更加精确受控的磁流变阻尼器。
为了解决上述问题,本发明提出的解决方案为:单杆多级绕射有源双控变阻尼磁流变阻尼器,它包括流变液缸体模块、装设于所述流变液缸体模块左端的左端盖、装设于所述流变液缸体模块右端的右端盖模块、装设于所述流变液缸体模块内部的绕射活塞模块、磁流变液和电源。
本发明的流变液缸体模块包括线圈缸体、装设于所述线圈缸体外壁凹槽内的主控线圈、装设于所述主控线圈外部的屏蔽层;所述线圈缸体为内径恒定的空心圆筒;所述右端盖模块包括右端盖、设于所述右端盖中心处的轴承孔、装设于所述轴承孔内的轴承、装设于所述右端盖上密封所述轴承孔的密封装置;所述绕射活塞模块包括活塞、一端装设有所述活塞另一端通过所述密封装置和轴承伸到所述流变液缸体模块外部的活塞杆、装设于所述活塞外壁凹槽内的辅助线圈、装设于所述辅助线圈外部的线圈保护层、开设于所述活塞上蛇形弯曲内径渐变的渐变绕射孔;所述活塞的直径等于所述线圈缸体的内径。
本发明的所述渐变绕射孔的一端开孔内径较大,为工作间隙大口,另一端开孔内径较小为工作间隙小口;所述活塞将充满磁流变液的所述线圈缸体分割为流变液左室和流变液右室;所述工作间隙大口与所述流变液左室相连通,所述工作间隙小口与所述流变液右室相连通;所述电源装设于所述右端盖上,并用导线与所述主控线圈、辅助线圈相连。
与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明的单杆多级绕射有源双控变阻尼磁流变阻尼器设有主控线圈和辅助线圈,可以实现对磁场更加精确的控制;本发明还设有渐变绕射孔,磁流变液通过渐变绕射孔在流变液左室、流变液右室之间相互流动,产生巨大的阻尼力。由此可知,本发明结构合理、能够输出巨大阻尼力、阻尼力更加精确受控。
附图说明
图1是本发明的单杆多级绕射有源双控变阻尼磁流变阻尼器结构原理图。
图2是本发明的充满磁流变液的流变液缸体模块的横截面结构示意图。
图中,1—流变液缸体模块;11—线圈缸体;12—主控线圈;13—屏蔽层;2—左端盖;3—右端盖模块;31—右端盖;32—轴承孔;33—轴承;34—密封装置;4—绕射活塞模块;41—活塞;42—活塞杆;43—渐变绕射孔;431—工作间隙大口;432—工作间隙小口;44—辅助线圈;45—线圈保护层;51—流变液左室;52—流变液右室;6—电源;7—磁流变液。
具体实施方式
以下将结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
参见图1和图2所示,本发明的单杆多级绕射有源双控变阻尼磁流变阻尼器,包括流变液缸体模块1、装设于流变液缸体模块1左端的左端盖2、装设于流变液缸体模块1右端的右端盖模块3、装设于流变液缸体模块1内部的绕射活塞模块4、磁流变液7和电源6。
参见图1和图2所示,流变液缸体模块1包括线圈缸体11、装设于线圈缸体11外壁凹槽内的主控线圈12、装设于主控线圈12外部的屏蔽层13;线圈缸体11为内径恒定的空心圆筒;右端盖模块3包括右端盖31、设于右端盖31中心处的轴承孔32、装设于轴承孔32内的轴承33、装设于右端盖31上密封轴承孔32的密封装置34;绕射活塞模块4包括活塞41、一端装设有活塞41另一端通过密封装置34和轴承33伸到流变液缸体模块1外部的活塞杆42、装设于活塞41外壁凹槽内的辅助线圈44、装设于辅助线圈44外部的线圈保护层45、开设于活塞41上蛇形弯曲内径渐变的渐变绕射孔43。
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