[发明专利]堆叠器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；

在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；

将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括暴露于后表面的第二穿透硅通孔结构和形成于前表面的多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；

在所述第二器件上方形成第二涂层材料，其中，所述第二涂层材料在所述第二器件上方连续地延伸并且覆盖所述第二穿透硅通孔结构；

将第三器件设置在所述第二涂层材料上方，其中，所述第三器件包括第三穿透硅通孔结构；

对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及

此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，每个所述第一器件、所述第二器件和所述第三器件均包括电路；

其中，所述第一涂层材料和所述第二涂层材料均包括焊剂成分；以及

其中，响应于所述固化，利用所述第一穿透硅通孔结构、所述第二穿透硅通孔结构和所述第三穿透硅通孔结构将所述第一器件、所述第二器件和所述第三器件的电路电耦合。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，每个所述第一器件、所述第二器件和所述第三器件均是管芯。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，包括：

将第四器件设置在第三涂层材料上方，其中，所述第四器件包括第四穿透硅通孔结构；以及

其中，所述固化包括在与所述第一涂层材料和所述第二涂层材料相同的同一处理中对所述第三涂层材料进行固化。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述预处理的温度从80℃至150℃。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述预处理包括将所述第一涂层材料和所述第二涂层材料加热至比所述第一涂层材料和所述第二涂层材料的固化温度低的温度。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在所述固化之后对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行后处理。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，所述后处理的温度从100℃至200℃。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述固化包括温度在200℃至300℃的热处理。

10.一种制造堆叠半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一电路和第一穿透硅通孔(TSV)结构的第一器件；

在所述第一器件上方形成第一涂层材料，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；

在所述第一涂层材料上堆叠第二器件，所述第二器件具有第二电路、暴露于后表面的第二穿透硅通孔结构和形成于前表面的第一多个导电凸点，其中，堆叠所述第二器件促使所述第一多个导电凸点进入所述第一涂层材料；

在所述第二器件上方形成第二涂层材料，所述第二涂层材料在所述第二器件上方连续地延伸并且覆盖所述第二穿透硅通孔结构；

在所述第二涂层材料上堆叠第三器件，所述第三器件具有第三电路和第二多个导电凸点，其中，堆叠所述第三器件促使所述第二多个导电凸点进入所述第二涂层材料；

对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及

此后，执行热处理，所述热处理电耦合所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路以形成所述堆叠半导体器件的电路，并且将所述第一涂层材料和所述第二涂层材料固化。