[发明专利]BOA型液晶显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种BOA型液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板(1)与彩膜基板(2)、及夹设于阵列基板(1)与彩膜基板(2)之间的液晶层(3)；

所述阵列基板(1)包括下基板(11)、设于下基板(11)上的第一黑色矩阵(12)、整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)、第一黑色矩阵(12)与下基板(11)的钝化保护层(18)、以及设于所述钝化保护层(18)上且与TFT(T)的源/漏极(13)接触的像素电极(19)；

所述彩膜基板(2)包括上基板(21)、设于所述上基板(21)面向阵列基板(1)一侧的色阻层(22)、及覆盖所述色阻层(22)与上基板(21)的公共电极(23)；

还包括设于TFT(T)与钝化保护层(18)之间的第二黑色矩阵(17)，所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)。

2.如权利要求1所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述TFT(T)为顶栅型结构，包括自下而上依次设于所述第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)。

3.如权利要求2所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极(19)经由贯穿所述钝化保护层(18)的过孔(181)接触源/漏极(13)。

4.如权利要求2所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极(19)经由贯穿所述钝化保护层(18)与第二黑色矩阵(17)的过孔(871)接触源/漏极(13)。

5.一种BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，在阵列基板(1)一侧的下基板(11)上制作出第一黑色矩阵(12)后，制作整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T)；在彩膜基板(2)一侧制作色阻层(22)与公共电极(23)；

在TFT(T)上再制作第二黑色矩阵(17)，使得第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)；且制作所述第一黑色矩阵(12)与第二黑色矩阵(17)使用同一掩模板。

6.如权利要求5所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1、提供一下基板(11)，在所述下基板(11)上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵(12)；

步骤2、在所述第一黑色矩阵(12)与下基板(11)上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13)；

步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上的有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)；

所述源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)构成TFT(T)；

步骤4、在所述TFT(T)与下基板(11)上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵(17)，使得所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)；

步骤5、通过化学气相沉积工艺在所述第二黑色矩阵(17)与下基板(11)上沉积钝化保护层(18)，使用第四道掩模板对所述钝化保护层(18)进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层(18)与第二黑色矩阵(17)的过孔(871)，以暴露出部分源/漏极(13)；

步骤6、在所述钝化保护层(18)上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极(19)，且像素电极(19)经由所述过孔(871)接触源/漏极(13)，完成阵列基板(1)的制作；

步骤7、提供一上基板(21)，在所述上基板(21)上依次制作色阻层(22)、公共电极层(23)，完成彩膜基板(2)的制作；

然后将阵列基板(1)与彩膜基板(2)进行对组，在阵列基板(1)与彩膜基板(2)之间灌注液晶分子，形成液晶层(3)，并对阵列基板(1)与彩膜基板(2)进行封装。

7.如权利要求6所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述栅极(16)与源/漏极(13)的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或多种的堆栈组合，所述栅极绝缘层(15)与钝化保护层(18)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。