[发明专利]自发光互补金属氧化物半导体影像传感器封装

权利要求书

1.一种微电子芯片，承载互补金属氧化物半导体影像传感器，其改良包括：

砷化镓(GaAs)基板，包括(i)第一部分，所述第一部分为互补金属氧化物半导体影像传感器的组件，以及(ii)第二部分，所述第二部分为发光二极管的组件，

以下至少一个成立：(a)所述第一部分布植有第一元素，(b)所述第二部分布植有与第一元素不同的第二元素。

2.根据权利要求1所述的微电子芯片，

所述第一部分布植有所述第一元素；以及

所述第二部分布植有所述第二元素。

3.根据权利要求2所述的微电子芯片，所述第一元素为铟(In)，所述第一部分为InGaAs。

4.根据权利要求2所述的微电子芯片，所述第二元素为铝(Al)，所述第二部分为AlGaAs。

5.根据权利要求2所述的微电子芯片，

所述第一元素为铟(In)，所述第一部分为InGaAs，

所述第二元素为铝(Al)，所述第二部分为AlGaAs。

6.根据权利要求2所述的微电子芯片，其包括用于协助微电子芯片的运作的电路，所述电路形成于砷化镓基板的未处理的砷化镓部分上。

7.根据权利要求1所述的微电子芯片，还包括单块的光学透镜，所述单块的光学透镜与发光二极管和互补金属氧化物半导体影像传感器光耦合，并且包括(i)发光二极管上的用于投射发光二极管发出的光的第一透镜部分以及(ii)互补金属氧化物半导体影像传感器上的用于将光成像到互补金属氧化物半导体影像传感器上的第二透镜部分，其中第二透镜部分具有与第一透镜部分的相应光学特性不同的至少一个光学特性。

8.根据权利要求7所述的微电子芯片，所述单块的光学透镜与所述发光二极管和所述互补金属氧化物半导体影像传感器间隔开放置，所述微电子芯片还包括光分路器，所述光分路器将(a)第一透镜部分和发光二极管之间的第一光学路径与(b)第二透镜部分和互补金属氧化物半导体影像传感器之间的第二光学路径隔离。

9.根据权利要求7所述的微电子芯片，还包括：

护罩玻璃，用于保护所述单块的光学透镜，所述护罩玻璃放置在(a)第一透镜部分上以传输发光二极管发出的并被第一透镜部分投射的光，以及(b)第二透镜部分上以将光通过第二透镜部分传输至互补金属氧化物半导体影像传感器。

10.根据权利要求1所述的微电子芯片，其包括该发光二极管与该互补金属氧化物半导体影像传感器共享的至少一个共享电性连接。

11.根据权利要求10所述的微电子芯片，其中该共享电性连接是包括电源线。

12.根据权利要求10所述的微电子芯片，其中该共享电性连接是包括接地线。

13.根据权利要求10所述的微电子芯片，其中该至少一个共享电性连接包括电源线和接地线。

14.根据权利要求13所述的微电子芯片，其中该互补金属氧化物半导体影像传感器是在前面照射方向。

15.根据权利要求13所述的微电子芯片，其中该互补金属氧化物半导体影像传感器是在背面照射方向。

16.根据权利要求1所述的微电子芯片，其被可操作地安装在内视镜上，以提供影像。

17.根据权利要求1所述的微电子芯片，其被安装在相机上，以提供影像。

18.一种自发光互补金属氧化物半导体影像封装，包括：

互补金属氧化物半导体芯片，包括互补金属氧化物半导体影像传感器，所述互补金属氧化物半导体影像传感器用于检测入射到其上的光；

发光二极管；以及

单块的光学透镜，与所述发光二极管和所述互补金属氧化物半导体影像传感器光耦合，并且包括(i)发光二极管上的用于投射照明的第一透镜部分以及(ii)互补金属氧化物半导体影像传感器上的用于将光成像到互补金属氧化物半导体影像传感器上的第二透镜部分，其中第二透镜部分具有与第一透镜部分的相应光学特性不同的至少一个光学特性，

其中所述发光二极管用于向第一透镜部分发射光以便所述第一透镜部分引导光向外发射。

19.根据权利要求18所述的自发光互补金属氧化物半导体影像封装，所述单块的光学透镜与所述发光二极管和所述互补金属氧化物半导体影像传感器间隔开放置，所述自发光互补金属氧化物半导体影像封装还包括光分路器，所述光分路器将(a)第一透镜部分和发光二极管之间的第一光学路径与(b)第二透镜部分和互补金属氧化物半导体影像传感器之间的第二光学路径隔离。