[发明专利]一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺有效
| 申请号： | 201510428011.4 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106702474B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;李磊;索思卓;李明飞;白杜娟 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/30 | 分类号： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 区熔硅单晶 生长 消除 多晶 工艺 | ||
1.一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺，用于悬浮区熔法生长单晶硅的放肩阶段，其特征在于，当出现多晶刺时，将线圈向正、负极方向偏移以使腰变粗，降低多晶料的转速，在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶料的旋转方向。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述线圈向正、负极方向的偏移量为2-3mm。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，将多晶料的转速由0.3-0.4rpm降至0.2-0.3rpm。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，改变多晶料旋转方向的方式是使其向相反方向旋转。
5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，多晶料的旋转方向改变2-3次。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述区熔硅单晶为5英寸或6英寸大直径区熔硅单晶。
7.一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺，用于悬浮区熔法生长单晶硅的等径保持阶段，其特征在于，当出现多晶刺时，将线圈向正、负极方向偏移，降低线圈功率以使腰变粗，降低多晶料的转速，在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶料的旋转方向。
8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，所述线圈向正、负极方向的偏移量为2-3mm。
9.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，降低线圈功率的方式是：线圈功率降低0.1％，同时使多晶料靠近线圈以保持熔区饱满；该过程重复3-5次。
10.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，将多晶料的转速由0.3-0.4rpm降至0.2-0.3rpm。
11.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，改变多晶料旋转方向的方式是使其向相反方向旋转。
12.根据权利要求11所述的工艺，其特征在于，多晶料的旋转方向改变2-3次。
13.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，所述区熔硅单晶为5英寸或6英寸大直径区熔硅单晶。
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