[发明专利]利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法

权利要求书

1.一种利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法，包括以下步骤：

1）光刻：将洗净的基底依次涂光刻胶、光刻图形、显影；

2）RIE刻蚀：将光刻显影后的基底进行刻蚀，然后去胶；

3）疏水修饰：在步骤2）得到的基底上旋涂树脂，然后加热，形成压印模板；

4）压印基底制备：另取一片基底，在其表面提拉一层有机小分子薄膜；

5）压印：将步骤3）所得的模板覆盖在步骤4）得到的压印基底上，然后施加一定压力，加热至所述有机小分子熔点保持一段时间，然后降至室温，即得。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为SiO₂/Si片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤1）之前还包括将SiO₂/Si片浸入piranha溶液的步骤，所述piranha溶液为浓硫酸：双氧水=3：1的强氧化性溶液。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiO₂/Si片中SiO₂层的厚度为1000nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正胶。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的RIE刻蚀SiO₂所用的气体为Ar和CHF₃，其比例为3:2。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述树脂是一种全氟树脂。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述全氟树脂旋涂条件为5000r/min，20s，接着120℃下加热1h。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述机小分子薄膜是一种液晶分子薄膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）中所述加热过程在通风橱中加热板上进行，加热温度为120℃，且施加的压力通过扭矩式压力测试仪控制。