[发明专利]一种IGBT的制备方法有效
| 申请号： | 201510428457.7 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105140120B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;李向坤 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 igbt 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)选择衬底材料，衬底材料为N+(100)晶向，电阻率为0.001-0.002ohm*cm的硅抛光片；外延层的厚度为4-10um，且电阻率控制在0.1-10ohm*cm；
(2)IGBT正面结构制备：
在硅材料上生长氧化层，注入硼，并对其推进；
在氧化层上再淀积一层氮化硅或二氧化硅，涂上光致抗蚀剂，进行光刻构图，以暴露沟槽区域；
刻蚀暴露区域的二氧化硅或氮化硅，并去除光致抗蚀剂，然后再刻蚀硅，形成沟槽，沟槽的深度0.8-2.5um，沟槽宽度0.2-2um；
(3)IGBT背面用镍酸镧透明氧化物制作导电缓冲层，用旋涂法形成镍酸镧透明氧化物电极涂层，在氮气气氛下用150-300℃烘干，完成镍酸镧透明氧化物电极的制备。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT的制备方法，其特征在于，所述的沟槽淀积的多晶硅厚度为0.5-1.5μm。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT的制备方法，其特征在于，所述IGBT的背面结构为：衬底材料的背面+Al+镍酸镧透明氧化物电极+Ag。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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