[发明专利]双层平面调相装置有效
申请号: | 201510428733.X | 申请日: | 2015-07-20 |
公开(公告)号: | CN105006634B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 安文星;杨帆;许慎恒;李懋坤 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贴片 调相装置 双层平面 双层结构 相对设置 相位调节 形状相似 电连接 灵活度 | ||
1.一种双层平面调相装置,其特征在于,包括:
上贴片,所述上贴片为正多边形,所述上贴片的每个拐角处设有沿所述上贴片的径向延伸的上槽口,所述上槽口的外端敞开;或者所述上贴片包括:第一上主体和与所述第一上主体相交的第二上主体,所述第一上主体和所述第二上主体均呈长条状,所述第一上主体与所述第二上主体的交点为点A;
与所述上贴片相对设置的下贴片,所述下贴片的形状与所述上贴片的形状相似,所述下贴片与所述上贴片电连接,当所述上贴片为正多边形时,所述下贴片的每个拐角处设有沿所述下贴片的径向延伸的下槽口,所述下槽口的外端敞开;当所述上贴片包括所述第一上主体和所述第二上主体时,所述下贴片包括:第一下主体和与所述第一下主体相交的第二下主体,所述第一下主体与所述第二下主体均呈长条状,所述第一下主体与所述第二下主体的交点为点B,所述点A与所述点B的连线为直线AB;
导电件,所述导电件为多个,多个所述导电件为金属过孔或金属柱;
其中,当所述上贴片为正多边形时,相邻两个所述上槽口之间设有一个所述导电件,相邻两个所述下槽口之间设有一个所述导电件,相邻两个所述导电件之间设有一个所述上槽口和一个所述下槽口;当所述上贴片包括所述第一上主体和所述第二上主体时,每个所述导电件的上端与所述上贴片相连且下端与所述下贴片相连,每个所述导电件所在直线与所述直线AB平行,且多个所述导电件沿所述直线AB的周向方向均匀分布。
2.根据权利要求1所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述上槽口沿上下方向贯通所述上贴片。
3.根据权利要求1所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述下槽口沿上下方向贯通所述下贴片。
4.根据权利要求1所述的双层平面调相装置,其特征在于,每个所述上槽口的内端与所述上贴片的中心间隔预定距离,每个所述下槽口的内端与所述下贴片的中心间隔所述预定距离。
5.根据权利要求4所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述预定距离为0.01λ~0.3λ,每个所述上槽口的宽度为0.01λ~0.2λ,每个所述上槽口的长度与所述上贴片的边长呈线性关系,每个所述下槽口的宽度为0.01λ~0.2λ,每个所述下槽口的长度与所述下贴片的边长呈线性关系。
6.根据权利要求5所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述预定距离为0.02λ~0.05λ或0.06λ~0.3λ,每个所述上槽口的宽度为0.02λ~0.05λ或0.06λ~0.2λ,每个所述上槽口的长度与所述上贴片的边长呈线性关系,每个所述下槽口的宽度为0.02λ~0.05λ或0.06λ~0.2λ,每个所述下槽口的长度与所述下贴片的边长呈线性关系。
7.根据权利要求1所述的双层平面调相装置,其特征在于,相邻两个所述导电件相对所述上槽口对称,相邻两个所述导电件相对所述下槽口对称。
8.根据权利要求1所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述导电件为金属过孔,所述金属过孔与所述上贴片的中心的距离为所述上贴片的边长的0.01倍~0.4倍,所述金属过孔与所述下贴片的中心的距离为所述下贴片的边长的0.01倍~0.4倍,所述金属过孔的内径为0.001λ~0.2λ,所述金属过孔的壁厚为0.0001λ~0.2λ。
9.根据权利要求8所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述金属过孔与所述上贴片的中心的距离为所述上贴片的边长的0.02倍~0.05倍或0.06倍~0.4倍,所述金属过孔与所述下贴片的中心的距离为所述下贴片的边长的0.02倍~0.05倍或0.06倍~0.4倍,所述金属过孔的内径为0.005λ~0.05λ或0.06λ~0.2λ,所述金属过孔的壁厚为0.0002λ~0.05λ或0.06λ~0.2λ。
10.根据权利要求1所述的双层平面调相装置,其特征在于,所述第一上主体和所述第二上主体相互垂直平分;
所述第一下主体与所述第二下主体均相互垂直平分。
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