[发明专利]一种使用MRAM的存储设备有效
申请号: | 201510428866.7 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105608014B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 戴瑾 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0882 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 mram 存储 设备 | ||
1.一种使用MRAM的存储设备,包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAND芯片,所述主控芯片包括CPU,其特征在于,
所述MRAM包括:
写缓存或读写缓存;
缓存页表,所述缓存页表的记录包括一个缓存页的地址、所述缓存页对应的NAND页的地址以及最近设定时间段段内的写操作次数;
当需要将缓存页写回所述NAND芯片时,将属于同一块的缓存页的写操作次数相加,得到总写操作次数;将属于总写操作次数最低的块的所有缓存页写回所述NAND芯片;所述缓存页表的记录还包括指向属于同一个块的另一个缓存页的记录的指针;所述MRAM还包括缓存块表,所述缓存块表的记录包括一个块的地址、属于所述块的第一个缓存页的指针以及所述块的最近设定时间段内的总写操作次数。
2.如权利要求1所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,如果多个块的总写操作次数相等,将属于所述多个块中具有最多缓存页的块的所有缓存页写回NAND芯片。
3.如权利要求1所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,所述MRAM为具有内容寻址功能的MRAM。
4.如权利要求3所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,根据一个块的地址在所述MRAM中进行内容寻址,找到属于所述块的所有缓存页。
5.如权利要求1所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,所述缓存页表的记录还包括上次写操作时间。
6.如权利要求5所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,当前时间与缓存页的上次写操作时间的差大于或等于设定时间间隔,与所述缓存页同属一个块的所有缓存页写回所述NAND芯片。
7.如权利要求1所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,所述缓存页表的记录还包括顺序设置的N个计数器的计数值,计数器用于记录时间间隔T内缓存页发生写操作的次数;主控芯片还包括定时器,当定时器设定的时间间隔T到达时,切换到使用缓存页对应的下一个计数器来记录发生写操作的次数。
8.如权利要求7所述的使用MRAM的存储设备,其特征在于,所述总写操作次数为所述N个计数器的计数值的和或部分所述N个计数器的计数值的和。
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