[发明专利]闪存装置及其编程操作的初始化方法有效

专利信息
申请号: 201510429168.9 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN106328203B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 邓才科 申请(专利权)人: 力晶科技股份有限公司
主分类号: G11C16/20 分类号: G11C16/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 编程操作 编程电压 存储单元 初始化 编程验证操作 编程验证电压 读取操作 记录读取 闪存装置 递增 编程脉冲电压 读取结果 脉冲读取 验证结果 脉冲 记录 闪存 遮蔽
【权利要求书】:

1.一种闪存编程操作的初始化方法,包括:

使用编程非遮蔽方案,提供多个脉冲编程电压以对该闪存的多个存储单元进行多个编程操作,其中所述脉冲编程电压的电压值依次递增;

在各该编程操作后依据一编程验证电压对所述存储单元执行对应的一编程验证操作,并依据该编程验证操作的验证结果以记录各该编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为一记录编程电压值;

在所述编程操作后,提供多个脉冲读取电压以对所述存储单元进行多个读取操作,其中所述脉冲读取电压的电压值依次递增;

依据各该读取操作的读取结果来记录对应的各该脉冲读取电压的电压值为一记录读取电压值;以及

依据该记录编程电压值、该记录读取电压值来获得一起始编程电压值,以及依据该记录读取电压值、该编程验证电压的电压值来获得一编程脉冲电压递增值。

2.如权利要求1所述的编程操作的初始化方法,其中依据该编程验证操作的验证结果以记录各该编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为该记录编程电压值的步骤包括:

当该编程验证操作验证出临界值小于该编程验证电压的电压值的所述存储单元的数量小于一预设参考值时,记录该编程验证操作对应的编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为该记录编程电压值。

3.如权利要求1所述的编程操作的初始化方法,其中依据各该读取操作的读取结果来记录对应的各该脉冲读取电压的电压值为该记录读取电压值的步骤包括:

当各该读取操作中,临界值大于对应的各该脉冲读取电压的电压值的存储单元的数量小于一预设参考值时,记录对应的各该脉冲读取电压的电压值为该记录读取电压值。

4.如权利要求1所述的编程操作的初始化方法,其中依据该记录编程电压值、该记录读取电压值来获得该起始编程电压值的步骤包括:

设定该起始编程电压值=Vn–RDm+PVn+Voffset,

其中,Vn为该记录编程电压值,RDm为该记录读取电压值,PVn为一般性编程验证操作的电压值,Voffest为预设的一偏移电压值。

5.如权利要求4所述的编程操作的初始化方法,其中该偏移电压值大于、小于或等于0伏特,其中该偏移电压值依据所述存储单元编程电压临界值预期分布及所述存储单元抹除编程后预期衰减量来决定。

6.如权利要求1所述的编程操作的初始化方法,其中还包括:

依据该记录读取电压值、该编程验证电压的电压值以及预设的一编程次数以计算出一编程脉冲电压递增值。

7.如权利要求4所述的编程操作的初始化方法,其中还包括:

储存该记录编程电压值、该记录读取电压值、该编程验证电压的电压值以及该一般性编程验证操作的电压值至该闪存的控制器中。

8.一种闪存装置,包括:

多个存储单元,组成一存储单元阵列;

一感测电路,耦接该存储单元阵列;以及

一控制器,耦接该感测电路及所述存储单元,

其中,该控制器耦接至一测试装置,且该测试装置执行:

提供多个脉冲编程电压以对该闪存装置的多个存储单元进行多个编程操作,其中所述脉冲编程电压的电压值依次递增;

在各该编程操作后依据一编程验证电压对所述存储单元执行对应的一编程验证操作,并依据该编程验证操作的验证结果以记录各该编程操作所对应的脉冲编程电压的电压值为一记录编程电压值;

在所述编程操作后,提供多个脉冲读取电压以对所述存储单元进行多个读取操作,其中所述脉冲读取电压的电压值依次递增;

依据各该读取操作的读取结果来记录对应的各该脉冲读取电压的电压值为一记录读取电压值;以及

依据该记录编程电压值、该记录读取电压值来获得一起始编程电压值,以及依据该记录读取电压值、该编程验证电压的电压值来获得一编程脉冲电压递增值。

9.如权利要求8所述的闪存装置,其中该测试装置为外接测试装置或外接控制单元。

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