[发明专利]一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于制备步骤如下：

第一步：在ITO透明导电基板上通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布主体材料，其中主体材料为NPB、a-NPD、2-TNATA、m-MTDATA、TPD或Poly-TPD；

第二步：在第一步的主体材料表面通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布客体材料，即得用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其中客体材料为F2-HCNQ或F4-TCNQ。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于所述第一步中真空热蒸镀法的条件是：腔体真空度≤1×10^-4 Pa，蒸镀速率为0.3 nm/s，蒸镀厚度为40 nm。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于所述第二步中真空热蒸镀法的条件是：腔体真空度≤1×10^-4 Pa，蒸镀速率为0.03 nm/s，蒸镀厚度为2 nm。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于：所述第一步和第二步中旋涂法涂布的过程在无水无氧的条件下进行。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于：所述第二步中旋涂法涂布客体材料的过程中进行退火处理。