[发明专利]一种有机‑无机杂化电荷注入层的制备方法

权利要求书

1.一种有机- 无机杂化电荷注入层的制备方法，其特征在于制备步骤如下：

第一步：将铜酞菁-3,4',4'',4'''- 四磺酸四钠盐、无机盐化合物分别溶于溶剂中，在大气环境中搅拌10h，分别得到铜酞菁-3,4',4'',4'''- 四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液，其中铜酞菁-3,4',4'',4'''- 四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液的浓度相同，均为1-9mg/mL ；

第二步：将第一步得到的铜酞菁-3,4',4'',4'''- 四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液混合，常温下搅拌至融合，得到混合溶液，其中铜酞菁-3,4',4'',4'''- 四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液的体积比为1:（1-9）；

第三步：将待涂布的ITO 基片放置于紫外臭氧机中臭氧处理10min，然后用第二步得到的混合溶液均匀涂布在ITO 基片表面，在ITO 基片表面形成一层前驱体薄膜；

第四步：将第三步中得到的载有前驱体薄膜的ITO 基片处理20min 后，在ITO 基片上即形成有机- 无机杂化电荷注入层；

所述第四步中处理的具体方法为退火处理、烘烤处理、光照处理或臭氧处理。

2.根据权利要求1 所述的一种有机- 无机杂化电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述第一步中的无机盐化合物为Cs2CO3或LiF。

3.根据权利要求1 所述的一种有机- 无机杂化电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述第一步中的溶剂为去离子水、氨水或双氧水。

4.根据权利要求1 所述的一种有机- 无机杂化电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述第一步中铜酞菁-3,4',4'',4'''- 四磺酸四钠盐溶液和无机盐溶液的浓度均为5mg/mL。

5.根据权利要求1 所述的一种有机- 无机杂化电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述第三步中混合溶液均匀涂布在ITO 基片表面的具体方法为旋涂、浸泡、涂抹、刮擦或提拉。