[发明专利]一种晶闸管芯片的低温结合方法

权利要求书

1.一种晶闸管芯片的低温结合方法，其特征在于包括如下步骤：

①选取高平面度的单晶硅片、含硅量为9.7％～13.7％的铝硅合金片、钼片，其中，铝硅合金片用作金属粘接剂；

②对钼片进行预处理，使其中心处产生预设形变量的形变；

所述的步骤②中对钼片进行预处理即为利用微凸的模具对钼片进行冲压；

③将单晶硅片、铝硅合金片和形变的钼片依次放入石墨模具中，放入时要求形变的钼片的凹面正对铝硅合金片；

④将装有单晶硅片、铝硅合金片和形变的钼片的石墨模具放入真空高温炉中，在真空度高于3×10^-3pa，且温度在580～600℃的条件下，使铝硅合金片熔化，单晶硅片结合到钼片上形成近乎平面的晶闸管芯片；

所述的石墨模具的四个侧壁上均开设有用于增加热量传导、减少所述的石墨模具内外温差的侧壁通孔。

2.根据权利要求1所述的一种晶闸管芯片的低温结合方法，其特征在于所述的步骤②中预设形变量的确定过程为：

②-1、选取与步骤①中相同的单晶硅片、铝硅合金片和钼片；

②-2、将单晶硅片、铝硅合金片和钼片依次放入石墨模具中；

②-3、将装有单晶硅片、铝硅合金片和钼片的石墨模具放入真空高温炉中，在真空度高于3×10^-3pa，且温度在580～600℃的条件下，使铝硅合金片熔化，单晶硅片结合到钼片上形成形变的晶闸管芯片；

②-4、将形变的晶闸管芯片的中心处的形变量作为预设形变量。

3.根据权利要求1所述的一种晶闸管芯片的低温结合方法，其特征在于所述的步骤①中铝硅合金片的含硅量为11.7％。

4.根据权利要求3所述的一种晶闸管芯片的低温结合方法，其特征在于所述的步骤④中温度的条件为580～590℃。