[发明专利]电极图案的制作方法在审
申请号: | 201510430304.6 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN105068681A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 曾德仁;谢嘉铭;林子祥 | 申请(专利权)人: | 业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;H01B13/00 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 图案 制作方法 | ||
1.一种电极图案的制作方法,其特征在于,该方法包括:
提供一基板,并在该基板的一表面沉积一层导电材料;
通过曝光方法对该导电材料的一部分进行退火处理,使该导电材料具有经过退火处理的第一部分以及未经过退火处理的第二部分;及
去除该导电材料的第一部分与第二部分的其中之一,形成电极图案。
2.如权利要求1所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述曝光方法使用一掩膜对该导电材料进行曝光,该掩膜包括多个间隔设置的遮光部以及分别位于相邻遮光部之间的透光部,该导电材料的第一部分正对该透光部,第二部分正对该遮光部。
3.如权利要求2所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述掩膜位于该导电材料远离基板的一侧,且该掩膜与该导电材料远离该基板一侧的表面具有一间距。
4.如权利要求3所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述间距小于或等于100微米。
5.如权利要求2所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述掩膜位于该导电材料远离基板的一侧,且该掩膜直接与该导电材料远离该基板一侧的表面接触。
6.如权利要求5所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述掩膜由直接涂布在所述导电材料远离基板一侧表面上的遮光材料形成。
7.如权利要求1所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述导电材料为非晶状的透明导电材料。
8.如权利要求7所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述导电材料经过退火处理的第一部分为微晶状或多晶状。
9.如权利要求1所述的电极图案的制作方法,其特征在于,对所述导电材料进行曝光使用的光源为红外光源或近红外光源。
10.如权利要求8所述的电极图案的制作方法,其特征在于,使用所述光源对所述导电材料进行曝光的时间小于100毫秒,且该光源的能量大于1J/cm2。
11.如权利要求1所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述去除该导电材料的第一部分与第二部分的其中之一的步骤包括:
使用蚀刻方法去除未经过退火处理的第二部分,从而该第一部分作为电极排列于所述基板的表面形成所述电极图案。
12.如权利要求11所述的电极图案的制作方法,其特征在于,所述电极包括上表面和下表面以及连接于该上表面和下表面的斜面,且该斜面的倾斜角度小于30度。
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