[发明专利]基于MEMS工艺的细胞微阵列结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510430395.3 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104961094A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 周晓峰;梁盛林;车录锋;孟祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y5/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 mems 工艺 细胞 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：该方法至少包括以下步骤：
1)提供一硅衬底；
2)在所述硅衬底上表面旋涂光刻胶，光刻并显影形成图形化阵列结构；
3)采用DRIE刻蚀工艺在所述硅衬底上形成硅微纳米线；
4)进行热氧化工艺。
2.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：所述步骤3)采用DRIE刻蚀工艺在所述硅衬底上形成硅微纳米线的具体工艺如下：采用DRIE刻蚀工艺在所述硅衬底上形成深槽，该深槽中形成有若干直径为200-1000纳米，高度11-12微米的硅微纳米线。
3.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的硅衬底为SOI硅片。
4.根据权利要求3所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：所述步骤3)采用DRIE刻蚀工艺在所述硅衬底上形成硅微纳米线的具体工艺如下：采用DRIE刻蚀工艺刻蚀至SOI硅片的埋层氧化层，形成柱状结构；去除光刻胶后再次进行DRIE刻蚀工艺，在所述柱状结构上形成硅微纳米线。
5.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的硅衬底为单面抛光(100)晶向n型单晶硅片。
6.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：所述步骤1)中还包括清洗硅衬底的步骤。
7.根据权利要求1所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法，其特征在于：所述步骤2)中图形化阵列结构为圆形阵列，每个圆半径为10um，相邻圆心距为40um。
8.一种采用权利要求1至7任意一项所述的基于MEMS工艺的细胞微阵列结构制备方法形成的细胞微阵列结构。
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