[发明专利]按键及其键盘在审
申请号: | 201510430461.7 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN104992867A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 颜志仲 | 申请(专利权)人: | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
主分类号: | H01H13/705 | 分类号: | H01H13/705;H01H3/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 按键 及其 键盘 | ||
1.一种按键,其特征在于,该按键包括:
底板结构,该底板结构具有至少一第一磁性区;
键帽;以及
支撑装置,设置于该底板结构以及该键帽之间,且该支撑装置包含第一支撑件以及第二支撑件,该第一支撑件以及该第二支撑件可枢转地连接于该键帽以及该底板结构以使该键帽伴随该支撑装置于未按压位置与按压位置之间移动,该第一支撑件具有第二磁性区,该第二磁性区对应该第一磁性区,至少一缓冲悬臂自该第二支撑件往该第一支撑件延伸形成以撑抵于该第二磁性区下且具有触碰端点,该触碰端点与该底板结构间的垂直距离小于该第二磁性区与该第一磁性区间的垂直距离,以使该触碰端点于该第二磁性区与该第一磁性区之间的磁吸力驱动该第二磁性区接触到该第一磁性区之前,与该底板结构干涉且使该缓冲悬臂弯曲变形而提供缓冲弹力至该第二磁性区;
其中,当该键帽未被按压时,该磁吸力使该键帽维持于该未按压位置;当该键帽被一外力按压导致该第二磁性区随着该第一支撑件的枢转而与该第一磁性区远离时,该键帽伴随该支撑装置由该未按压位置移动至该按压位置;当该外力释放时,该磁吸力吸引该第二磁性区与该第一磁性区靠近,使得该键帽伴随该支撑装置由该按压位置移动回该未按压位置。
2.如权利要求1所述的按键,其特征在于,该底板结构包含底板以及膜片,该底板对应该触碰端点的位置上形成穿孔,该膜片贴附于该底板下以将该第一磁性区固定于该底板上,该触碰端点与该膜片间的垂直距离小于该第二磁性区与该第一磁性区间的该垂直距离,以使该触碰端点于该第二磁性区接触到该第一磁性区之前,穿过该穿孔与该膜片干涉且使该缓冲悬臂弯曲变形而提供该缓冲弹力至该第二磁性区。
3.如权利要求1所述的按键,其特征在于,该底板结构包含底板,该触碰端点与该底板间的垂直距离小于该第二磁性区与该第一磁性区间的该垂直距离,以使该触碰端点于该第二磁性区接触到该第一磁性区之前,与该底板干涉且使该缓冲悬臂弯曲变形而提供该缓冲弹力至该第二磁性区。
4.如权利要求1所述的按键,其特征在于,该底板结构包含底板以及电路板,该电路板设置于该支撑装置以及该底板之间,该触碰端点与该电路板间的垂直距离小于该第二磁性区与该第一磁性区间的该垂直距离,以使该触碰端点于该第二磁性区接触到该第一磁性区之前,与该电路板干涉且使该缓冲悬臂弯曲变形而提供该缓冲弹力至该第二磁性区。
5.如权利要求1所述的按键,其特征在于,该第一磁性区及该第二磁性区的其中之一为磁性件,该第一磁性区及该第二磁性区的其中之另一为磁性件或导磁性材料。
6.一种键盘,其特征在于,该键盘包括:
底板结构,该底板结构具有至少一第一磁性区;以及
复数个按键,设置于该底板结构上,该复数个按键的至少其中之一包括:
键帽;以及
支撑装置,设置于该底板结构以及该键帽之间,且该支撑装置包含第一支撑件以及第二支撑件,该第一支撑件以及该第二支撑件可枢转地连接于该键帽以及该底板结构以使该键帽伴随该支撑装置于未按压位置与按压位置之间移动,该第一支撑件具有第二磁性区,该第二磁性区对应该第一磁性区,至少一缓冲悬臂自该第二支撑件往该第一支撑件延伸形成以撑抵于该第二磁性区下且具有触碰端点,该触碰端点与该底板结构间的垂直距离小于该第二磁性区与该第一磁性区间的垂直距离,以使该触碰端点于该第二磁性区与该第一磁性区之间的磁吸力驱动该第二磁性区接触到该第一磁性区之前,与该底板结构干涉且使该缓冲悬臂弯曲变形而提供缓冲弹力至该第二磁性区;
其中,当该键帽未被按压时,该磁吸力使该键帽维持于该未按压位置;当该键帽被一外力按压导致该第二磁性区随着该第一支撑件的枢转而与该第一磁性区远离时,该键帽伴随该支撑装置由该未按压位置移动至该按压位置;当该外力释放时,该磁吸力吸引该第二磁性区与该第一磁性区靠近,使得该键帽伴随该支撑装置由该按压位置移动回该未按压位置。
7.如权利要求6所述的键盘,其特征在于,该底板结构包含底板以及膜片,该底板对应该触碰端点的位置上形成穿孔,该膜片贴附于该底板下以将该第一磁性区固定于该底板上,该触碰端点与该膜片间的垂直距离小于该第二磁性区与该第一磁性区间的该垂直距离,以使该触碰端点于该第二磁性区接触到该第一磁性区之前,穿过该穿孔与该膜片干涉且使该缓冲悬臂弯曲变形而提供该缓冲弹力至该第二磁性区。
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