[发明专利]可编程的电流基准电路

权利要求书

1.一种可编程的电流基准电路，其特征在于：包括PTAT电流电路(100)、TIND电流电路(200)、译码单元(300)和逻辑运算单元(400)，

所述PTAT电流电路与逻辑运算单元电连接，用于向逻辑运算单元提供PTAT电流；

所述TIND电流电路与逻辑运算单元电连接，用于向逻辑运算单元提供TIND电流；

所述译码单元与逻辑单元电连接，用于对PTAT电流电路和TIND电流电路进行编程操作；

所述逻辑运算单元用于对PTAT电流和TIND电流进行加减法运算。

2.根据权利要求1所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述PTAT电流电路包括第一运放、第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一运放的反向输入端与基准电压端连接，第一运放的正向输入端与第一PMOS管的漏极连接后经第一电阻R与第一NMOS管的漏极连接，第一运放的输出端与第一PMOS管的输出偏置端连接，所述第一NMOS管的漏极与第一NMOS管的栅极连接，第一NMOS管的源极接地，第一PMOS管的栅极接电源电压。

3.根据权利要求1所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述TIND电流电路包括第二运放、第二PMOS管和第二NMOS管，所述第二运放的反向输入端与基准电压端连接，第二运放的正向输入端与第二PMOS管的漏极连接后经第二电阻R与第二NMOS管的漏极连接，第二运放的输出端与第二PMOS管的输出偏置端连接，所述第二NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极连接，第二NMOS管的源极接地，第二PMOS管的栅极接电源电压。

4.根据权利要求1所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述逻辑算法单元包括PMOS管加法运算单元、NMOS管加法运算单元、减法运算单元、可编程的PMOS管加法运算单元和可编程的NMOS管加法运算单元。

5.根据权利要求4所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述PMOS管加法运算单元包括第一电流源和N+1个PMOS管，所述N+1个PMOS管的栅极连接，N+1个PMOS管的源极接电源电压；所述第一电流源分别与其中一个PMOS管的漏极、栅极连接，其余PMOS管的漏极与输出端连接，所述第一电源流负极接地。

6.根据权利要求4所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述NMOS管加法运算单元包括第二电流源和N+1个NMOS管，所述N+1个NMOS管的栅极连接，N+1个NMOS管的源极接地；所述第二电流源分别与其中一个NMOS管的漏极、栅极连接，其余NMOS管的漏极与输出端连接；所述第二电流源正极接电源电压。

7.根据权利要求4所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述减法运算单元包括第三电流源、第四电流源、两个PMOS管和两个NMOS管，两个PMOS管的栅极连接，两个PMOS管的源极分别与电源电压连接，所述第三电流源的正极分别与其中一个PMOS管的漏极、栅极连接，第三电流源的负极接地；另一个PMOS管的漏极与输出端连接；

两个NMOS管的栅极连接，两个NMOS管的源极分别与地连接，第四电流源的正极接电源电压，第四电流源的负极分别与其中一个NMOS管的漏极、栅极连接，另一个NMOS管的漏极与输出端连接。

8.根据权利要求4所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述可编程的PMOS管加法运算单元包括第五电流源和N+1个PMOS管，所述N+1个PMOS管的栅极连接；所述N+1个PMOS管的源极接电源电压；第五电流源的正极分别与其中一个PMOS管的漏极、栅极连接，所述第五电流源的负极接地，其余N个PMOS管的漏极分别经过一个传输门与输出端连接。

9.根据权利要求4所述的可编程的电流基准电路，其特征在于：所述可编程的NMOS管加法运算单元包括第六电流源和N+1个NMOS管，所述N+1个NMOS管的栅极连接；N+1个NMOS管的源极分别接地，所述第六电流源正极接电源电压，第六电流源的负极分别与其中一个NMOS管的漏极、栅极连接，其余N个NMOS管的源极分别经一个传输门与输出端连接。