[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

下部结构，该下部结构包括：

至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和

至少一个电极区，其包括多个位置，所述多个位置中的每一个是非平滑的并且对应于去除除所述多个三维发光纳米结构之外的其它三维发光纳米结构中位于该位置处的一个三维发光纳米结构时在切割表面形成的形状，

其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同，并且所述多个三维发光纳米结构中的相邻两个的中心之间的间距、三维发光纳米结构与所述多个位置中与所述三维发光纳米结构相邻的发光纳米结构之间的间距以及所述多个位置之间的间距全部相等。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个电极区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，每个三维发光纳米结构包括第一导电类型的半导体芯、有源层和第二导电类型的半导体皮。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，所述下部结构还包括衬底、衬底上的基础层和基础层上的掩模层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，还包括：基础层上的第一导电类型的电极和掩模层上的第二导电类型的电极。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：覆盖所述多个三维发光纳米结构的透明电极层。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，还包括：在透明电极层和所述多个三维发光纳米结构上的填充剂层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，还包括：掩模层与第二导电类型的电极之间的电极绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，按照等间距六边形图案布置所述多个三维发光纳米结构。

10.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，第一导电类型的半导体芯由掺有硅(Si)或碳(C)的n型氮化镓(n-GaN)制成，有源层包括铟镓氮化物(InGaN)，第二导电类型的半导体皮由掺有镁(Mg)或锌(Zn)的p型氮化镓(p-GaN)制成。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个位置中的每一个的横截面积大于所述多个三维发光纳米结构中的每一个的横截面积。

12.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，每个三维发光纳米结构还包括第一导电类型的半导体芯的一部分上的高电阻层。

13.一种半导体发光器件，包括：

衬底，其包括至少一个发光区和至少一个电极区；

衬底上的基础层；

基础层上的掩模层；

在所述至少一个发光区中的掩模层中的多个开口中的多个三维发光纳米结构；以及

在所述至少一个电极区中的第一电极和第二电极；

其中，第一电极和第二电极、所述至少一个电极区中的掩模层以及所述至少一个电极区中的基础层各自具有这样的多个位置：所述多个位置与所述至少一个发光区中的所述多个三维发光纳米结构的图案具有共同图案，彼此具有共同图案，所述多个位置中的每一个是非平滑的并且对应于去除除所述多个三维发光纳米结构之外的其它三维发光纳米结构中位于该位置处的一个三维发光纳米结构时在切割表面形成的形状，并且所述多个三维发光纳米结构中的相邻两个的中心之间的间距、三维发光纳米结构与所述多个位置中与所述三维发光纳米结构相邻的发光纳米结构之间的间距以及所述多个位置之间的间距全部相等。